GB/T 29055-2019 太阳能电池用多晶硅片

　　ICS 29 . 045 H 82

　　中 华 人 民 共 和 国 国 家 标 准

　　GB/T 29055—2019

　　代替 GB/T 29055—2012

　　太阳能电池用多晶硅片

　　Multicrystallinesiliconwafersforphotovoltaicsolarcell

　　2019-06-04 发布 2020-05-01 实施

　　国家市场监督管理总局中国国家标准化管理委员会

　　发

　　布

　　GB/T 29055—2019

　　前 言

　　本标准按照 GB/T 1 . 1—2009 给出的规则起草。

　　本标准代替 GB/T 29055—2012《太阳电池用多晶硅片》。 本标准与 GB/T 29055—2012 相比，除编辑性修改外主要技术变化如下：

　　— 修改了适用范围，将“适用于铸锭多晶切片垂直于长晶方向生产的太阳电池用多晶硅片”改为“适用于太阳能电池用铸造多晶硅片(包括类单晶硅片)”(见第 1 章，2012 年版的第 1 章)。

　　— 删除了规范性引用文件 GB/T 1551 和 SEMI MF 1535,增加了 GB/T 30860、GB/T 30869 、 SJ/ T 11627 、SJ/ T 11628 、SJ/ T 11630 、SJ/ T 11631 、SJ/ T 11632 和 YS/T 28(见第 2 章，2012年版的第 2 章)。

　　— 删除了密集线痕的定义，增加了线痕和微裂纹的定义(见 3 . 1 和 3 . 2 , 2012 年版的 3 . 1) 。

　　— 修改了边长分类，由 125 mm×125 mm 和 156 mm×156 mm 改为 156 . 75 mm × 156 . 75 mm,建议边长的增减量为 1 mm 的整数倍(见表 1 , 2012 年版的表 1)。

　　— 将外形尺寸分类与要求合并，并修改了边长、厚度及允许偏差的要求(见 4 . 1 , 2012 年版的第 4 章、第 5 章)。

　　— 修改了总厚度变化、弯曲度的要求(见 4 . 1 , 2012 年版的 5 . 2) 。

　　— 修改了载流子寿命、间隙氧含量、代位碳含量的要求(见 4 . 2 . 3 、4 . 3 , 2012 年版的 5 . 3 . 3 、5 . 3 . 4 、 5 . 3 . 5) 。

　　— 增加了表面质量中缺口 、微裂纹的要求(见 4 . 4 . 1) 。

　　— 修改了表面质量中崩边缺陷的要求(见 4 . 4 . 2 , 2012 年版的 5 . 1 . 2) 。

　　— 删除了表面质量中的色斑、边缘缺陷、晶粒数量及尺寸规格中密集型线痕的要求(见 2012 年版的 5 . 1 . 1、5 . 1 . 3、5 . 1 . 4、5 . 2) 。

　　— 增加了类单晶硅片的要求(见第 4 章)。

　　— 修改了组批、检验项 目 、取样及检验结果的判定(见 6 . 2、6 . 3、6 . 4 , 2012 年版的 7 . 2、7 . 3、7 . 4) 。

　　— 修改了包装的要求(见 7 . 2 . 1 , 2012 年版的 8 . 1 . 1) 。

　　本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)共同提出并归口 。

　　本标准起草单位：江苏协鑫硅材料科技发展有限公司、镇江仁德新能源科技有限公司、江西赛维LDK 太阳能高科技有限公司、宜昌南玻硅材料有限公司、有色金属技术经济研究院、扬州荣德新能源科技有限公司、苏州协鑫光伏科技有限公司、英利能源(中国)有限公司。

　　本标准主要起草人：万跃鹏、唐骏、游达、林清香、苏磊、李素青、余刚、高长昆、常传波、李建敏、何亮、梁学勤、齐灵燕、孙培亚、李英叶。

　　本标准所代替标准的历次版本发布情况为：

　　—GB/T 29055—2012 。

　　GB/T 29055—2019

　　太阳能电池用多晶硅片

　　1 范围

　　本标准规定了太阳能电池用多晶硅片(以下简称硅片)的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书及订货单(或合同)内容。

　　本标准适用于太阳能电池用铸造多晶硅片(包括类单晶硅片)。

　　2 规范性引用文件

　　下列文件对于本文件的应用是必不可少的。 凡是注 日期的引用文件，仅注 日期的版本适用于本文件 。凡是不注 日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。

　　GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法

　　GB/T 2828.1—2012 计数抽样检验程序 第 1 部分：按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样

　　计划

　　GB/T 6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法

　　GB/T 6618 硅片厚度和总厚度变化测试方法

　　GB/T 6619 硅片弯曲度测试方法

　　GB/T 14264 半导体材料术语

　　GB/T 29054 太阳能级铸造多晶硅块

　　GB/T 30860 太阳能电池用硅片表面粗糙度及切割线痕测试方法

　　GB/T 30869 太阳能电池用硅片厚度及总厚度变化测试方法

　　SJ/T 11627 太阳能电池用硅片电阻率在线测试方法

　　SJ/T 11628 太阳能电池用硅片尺寸及电学表征在线测试方法

　　SJ/T 11630 太阳能电池用硅片几何尺寸测试方法

　　SJ/T 11631 太阳能电池用硅片外观缺陷测试方法

　　SJ/T 11632 太阳能电池用硅片微裂纹缺陷的测试方法

　　YS/T 28 硅片包装

　　3 术语和定义

　　GB/T 14264 和 GB/T 29054 界定的以及下列术语和定义适用于本文件。

　　3.1

　　线痕 saw marks

　　晶块切割时，在晶片表面留下的条状凸纹和凹纹形状的不规则痕迹。

　　3.2

　　微裂纹 microcrack

　　宽度在微米量级，无法通过肉眼直接识别的裂纹。

　　GB/T 29055—2019

　　4 要求

　　4 . 1 外形尺寸

　　硅片的外形尺寸及允许偏差应符合表 1 的规定。

　　表 1

　　4 . 2 电学性能

　　4 . 2 . 1 硅片的导电类型为 P 型 。

　　4.2.2 硅片的电阻率为 0.5 Ω · cm~3.0 Ω · cm。

　　4 . 2 . 3 硅片的载流子寿命应符合 GB/T 29054 的规定，质量由供方保证。

　　4 . 3 间隙氧和代位碳含量

　　硅片的间隙氧含量和代位碳含量应符合 GB/T 29054 的规定，质量由供方保证。

　　4 . 4 表面质量

　　4 . 4 . 1 硅片表面应洁净，无缺口 、沾污、目视裂纹、微裂纹、孔洞等缺陷。

　　4.4.2 硅片表面不应有“V”型缺 口的崩边缺陷，允许有深度小于 0.3 mm、长度小于 0. 5mm 的崩边缺陷，且整片不超过 2 处 。

　　4.4.3 硅片表面的单条线痕深度值应不大于 15 μm。

　　4 . 5 类单晶硅片的最大晶粒面积比例

　　类单晶硅片的最大晶粒面积比例应符合表 2 的规定。

　　GB/T 29055—2019

　　表 2

　　4 . 6 其他

　　需方如对硅片的技术指标有特殊要求时，可由供需双方协商确定并在合同中注明。

　　5 试验方法

　　5. 1 边长和倒角的检验按 SJ/T 11628 或 SJ/T 11630 的规定进行。仲裁方法按 SJ/T 11630 的规定进行。

　　5.2 厚度和总厚度变化的检验按 GB/T 6618、GB/T 30869 或 SJ/T 11628 的规定进行。仲裁方法按GB/T 6618 的规定进行。

　　5 . 3 弯曲度的检验按 GB/T 6619 的规定进行，或由供需双方协商确定。

　　5.4 相邻两边垂直度的检验按 SJ/T 11628 或 SJ/T 11630 的规定进行。仲裁方法按 SJ/T 11630 的规定进行。

　　5 . 5 导电类型的检验按 GB/T 1550 的规定进行。

　　5.6 电阻率的检验按 GB/T 6616、SJ/T 11627 或 SJ/T 11628 的规定进行。仲裁方法按 GB/T 6616 的规定进行。

　　5.7 表面质量(除微裂纹、线痕)的检验按 SJ/T 11631 的规定进行，或由供需双方协商确定。

　　5 .8 表面微裂纹的检验按 SJ/T 11632 的规定进行。

　　5 . 9 表面线痕的检验按 GB/T 30860 的规定进行。

　　5. 10 类单晶硅片的最大晶粒面积比例的检查在光强度为 430 lx~650 lx 的照明条件下，距硅片30 cm~ 50 cm 的位置垂直于硅片表面目视进行。

　　6 检验规则

　　6 . 1 检验和验收

　　6 . 1 . 1 产品应由供方进行检验，保证产品质量符合本标准及订货单(或合同)的规定，并填写质量证明书。

　　6 . 1 . 2 需方应对收到的产品按本标准的规定进行检验，如检验结果与本标准及订货单(或合同)的规定不符时，应以书面形式向供方提出，由供需双方协商解决。 属于外形尺寸或表面质量的异议，应在收到产品之日起一个月内提出;属于其他性能的异议，应在收到产品之 日起三个月内提出。 如需仲裁，应由供需双方协商确定。

　　6 . 2 组批

　　硅片应成批提交验收。 每批应由相同工艺生产的同一外形尺寸、导电类型和电阻率范围的硅片

　　GB/T 29055—2019

　　组成。

　　6 . 3 检验项目

　　每批硅片的检验项目见表 3 。

　　表 3

　　6 . 4 取样及检验结果的判定

　　各检验项 目 的取样按 GB/T 2828 . 1—2012 中的正常检验一次抽样方案，检验水平和接收质量限

　　(AQL)应符合表 3 的规定。如按其他方案进行取样，应由供需双方协商确定。

　　7 标志、包装、运输、贮存和质量证明书

　　7 . 1 标志

　　7 . 1 . 1 在检验合格的硅片包装盒上张贴标签，其上注明：

　　a) 产品名称;

　　b) 产品技术要求;

　　c) 产品批号;

　　d) 产品数量。

　　7 . 1 . 2 硅片应成箱包装，每箱外侧应注明：

　　a) 供方名称、商标;

　　b ) 产品名称;

　　c) 产品技术要求;

　　d) 产品数量;

　　e) “小心轻放”“防潮”“易碎”“堆叠层数”标志或字样。

　　7 . 2 包装、运输和贮存

　　7 . 2 . 1 硅片包装按 YS/T 28 的规定进行，也可由供需双方协商确定。

　　7 . 2 . 2 硅片在运输过程中应轻装轻卸，严禁抛掷，勿挤压，且应采取防震、防潮措施。

　　GB/T 29055—2019

　　7 . 2 . 3 硅片应贮存在清洁、干燥的环境中。

　　7 . 3 质量证明书

　　每批硅片应附有质量证明书，其上注明：

　　a) 供方名称;

　　b ) 产品名称;

　　c) 产品数量;

　　d) 产品批号;

　　e) 各项检验结果及检验部门印记;

　　f) 本标准编号;

　　g) 出厂 日期。

　　8 订货单(或合同)内容

　　本标准所列产品的订货单(或合同)内应包括下列内容：

　　a) 产品名称;

　　b) 产品技术要求;

　　c) 产品数量;

　　d) 本标准编号;

　　e) 标准中要求在合同中注明的内容;

　　f) 其他。