T/NXCL 28-2024 半导体级单晶硅生长用合成石英坩埚

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资料介绍

本文件规定了半导体级单晶硅生长用合成石英坩埚的术语和定义、规格尺寸、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输和贮存等方面的内容。
本文件适用于合成石英砂（成分：二氧化硅）为内层原料，采用电弧熔融法工艺生产，应用于直拉法半导体级单晶硅生长的石英坩埚。