您当前的位置:首页 > SJ/T 1486-2016 半导体分立器件 3CG180型硅PNP高频高反压小功率晶体管详细规范 > 下载地址2
SJ/T 1486-2016 半导体分立器件 3CG180型硅PNP高频高反压小功率晶体管详细规范
- 英文名称:Semiconductor discrete devices Detail specification for type 3CG180 high frequency high voltage low power PNP silicon transisto
- 下载地址:[下载地址2]
- 提 取 码:981d
- 浏览次数:3
新闻评论(共有 0 条评论) |
资料介绍
本标准规定了3CG180型硅PNP高频高反压小功率晶体管器件的外形尺寸、最大额定值和电特性,试验条件和检验要求。
下一篇: SJ/T 1480-2016 半导体分立器件 3CG130型硅PNP高频小功率晶体管详细规范
上一篇: SJ/T 1826-2016 半导体分立器件 3DK100型NPN硅小功率开关晶体管详细规范
相关推荐
- SJ 21150-2016 微波组件印制电路板设计指南
- SJ/T 11666.7-2016 制造执行系统(MES)规范 第7部分:导入实施指南
- SJ/Z 21427-2018 军用电子装备天线阵面仿真指南
- SJ/T 11666.12-2016 制造执行系统(MES)规范 第12部分:造船行业制造执行系统软件功能
- SJ/T 11783-2021 智慧健康养老服务平台参考模型
- SJ/T 11639-2016 电子制造用水基清洗剂
- SJ/T 11666.3-2016 制造执行系统(MES)规范 第3部分:功能构件
- SJ/T 11666.6-2016 制造执行系统(MES)规范 第6部分:产品测试
- SJ/Z 21502-2018 雷达电磁兼容性设计指南
- SJ/T 11654-2016 固态盘通用规范