网站地图 | Tags | 热门标准 | 最新标准 | 订阅
您当前的位置:首页 > GB/T 24366-2024 通信用光电探测器组件技术要求 > 下载地址1

GB/T 24366-2024 通信用光电探测器组件技术要求

  • 名  称:GB/T 24366-2024 通信用光电探测器组件技术要求 - 下载地址1
  • 下载地址:[下载地址1]
  • 提 取 码
  • 浏览次数:3
下载帮助: 发表评论 加入收藏夹 错误报告目录
发表评论 共有条评论
用户名: 密码:
验证码: 匿名发表
新闻评论(共有 0 条评论)

资料介绍

  ICS 33. 180. 10 CCS M 33

  中 华 人 民 共 和 国 国 家 标 准

  GB/T 24366—2024代替 GB/T24366—2009

  通信用光电探测器组件技术要求

  Technicalrequirementsofoptoelectronicdetectormodule forcommunication

  2024-09-29发布 2025-01-01实施

  国家市场监督管理总局国家标准化管理委员会

  

  发

  

  布

  GB/T 24366—2024

  目 次

  前言 Ⅲ

  1 范围 1

  2 规范性引用文件 1

  3 术语和定义 1

  4 缩略语 3

  5 分类 3

  5. 1 应用类型 3

  5. 2 芯片类型 3

  5. 3 波长 3

  5. 4 光输入类型 4

  6 技术要求 4

  6. 1 极限工作条件 4

  6. 2 光电特性 5

  6. 3 环保符合性 9

  参考文献 11

  Ⅰ

  GB/T 24366—2024

  前 言

  本文件按照 GB/T 1. 1—2020《标准化工作导则 第 1部分 :标准化文件的结构和起草规则》的规定起草 。

  本文 件 代 替 GB/T 24366—2009《通 信 用 光 电 探 测 器 组 件 技 术 要 求》, 与 GB/T 24366—2009 相比 ,除结构调整和编辑性改动外 ,主要技术变化如下 :

  a) 增加了部分探测器组件的参数定义 :灵敏度(见 3. 7) 、最小可探测光功率(见 3. 8) 、过载光功率(见 3. 9) 、击穿电压温度系数(见 3. 10) 、电流响应度(见 3. 11) 、光谱响应范围(见 3. 12) 、暗电流(见 3. 13) 、光回波损耗(见 3. 14) 、接收组件带宽( -3dB)(见 3. 15)和载噪比(见 3. 16) ;

  b) 更改了 “按照光电探测器组件的管芯类型分类 ”为 “按使用光电芯片类型分类 ”(见 5. 2,2009年版的 4. 2) ;增加了“PIN+TIA+SOA 光电探测器组件 ”和 “APD+TIA+SOA 光电探测器组件 ”两种类型(见 5. 2) ;

  c) 更改了极限工作条件(见表 1,2009年版的表 1、表 3 和表 5) ;

  d) 更改了 PIN+TIA 型探测器组件光电特性的部分参数指标 :光回波损耗 、灵敏度 、加压灵敏度 、过载光功率和接收组件带宽( -3dB)(见表 2,2009年版的表 2) ;删除了动态范围和 TIA工作电压的参数指标(2009年版的表 2) ;

  e) 更改了 APD+TIA型探测器组件光电特性的部分参数指标 :光谱响应范围 、光电倍增因子 、光回波损耗 、灵敏度 、加压灵敏度 、过载光功率和接收组件带宽( - 3 dB)(见表 3, 2009年版的表4) ;删除了 TIA工作电压的参数指标(见 2009年版的表 4) ;

  f) 更改了 PIN 型探测器组件光电特性的部分参数指标 : 电流响应度 、最小可探测光功率 、光回波损耗 、暗电流 、反向电压 、接收组件带宽( -3dB) 和频响平坦度(见表 3, 2009年版的表 6) ; 删除了 TIA工作电压的参数指标(2009年版的表 6) ;

  g) 增加了 PIN+TIA+SOA 型探测器组件光电特性(见表 5) ;

  h) 更改了环保符合性要求(见 6. 3,2009年版的 5. 4) 。

  请注意本文件的某些内容可能涉及专利 。本文件的发布机构不承担识别专利的责任 。

  本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出 。

  本文件由全国通信标准化技术委员会(SAC/TC485)归 口 。

  本文件起草单位 : 中国信息通信科技集团有限公司 、中国信息通信研究院 、朗美通通讯技术(深圳)有限公司 。

  本文件起草人 :王红亚 、郑庆立 、宋梦洋 、刘璐 、马广鹏 。

  本文件及其所代替文件的历次版本发布情况为 :

  — 2009年首次发布为 GB/T 24366—2009;

  — 本次为第一次修订 。

  Ⅲ

  GB/T 24366—2024

  通信用光电探测器组件技术要求

  1 范围

  本文件界定了通信用光电探测器组件(以下简称 “探测器组件 ”)的术语和定义 、缩略语 ,规定了探测器组件的分类 、光电特性 、环保符合性等技术要求 。

  本文件适用于数字 光 通 信 系 统 以 及 模 拟 光 通 信 系 统 中 的 光 电 探 测 器 组 件 的 设 计 、开 发 、生 产 和检验 。

  2 规范性引用文件

  下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款 。其中 , 注 日期的引用文件 ,仅该日期对应的版本适用于本文件 ;不注日期的引用文件 ,其最新版本(包括所有的修改单) 适用于本文件 。

  GB/T 9771(所有部分) 通信用单模光纤

  GB/T 12357(所有部分) 通信用多模光纤

  GB/T 24365—2009 通信用光电探测器组件测试方法

  GB/T 26572 电子电气产品中限用物质的限量要求

  GB/T 39560(所有部分) 电子电气产品中某些物质的测定

  IEEE 802. 3—2022 IEEE 以太网标准(IEEE Standard for Ethernet)

  3 术语和定义

  下列术语和定义适用于本文件 。

  3. 1

  OMA加压灵敏度 stressed receiversensitivityinOMA

  在规定调制速率和规定的正弦抖动加压条件下 ,并满足随机比特差错率要求时 ,光接收机在 R 点所能接收的最小光调制幅度 OMA。

  注 1: 它考虑了在应用条件下 ,光接收机所具有并允许的最坏消光比 、脉冲上升和下降时间 、光发射 侧 的 光 回 损 , 连接器性能劣化和测试容差所引起的功率代价 。

  注 2: R点的定义见 ITU-T G. 957(2006)中的图 1。

  3.2

  击穿电压 breakdown voltage;VBR

  输入光功率等于零 ,逐渐增加 APD的反向偏压 ,暗电流随之增大 ,当暗电流达到 10μA(或 100μA) 时所对应的反向偏压 。

  3.3

  光电倍增因子 multiplication factor

  APD在规定温度、光波长、光功率和反向偏压下 ,有倍增时的光电流 IL 与无倍增时光电流 IL0之比 。 3.4

  频响平坦度 frequency response flatness

  在某一频率范围内的响应值偏离其最佳拟合直线的最大值 。

  1

  GB/T 24366—2024

  3.5

  二阶失真 second orderdistortion

  在多频道模拟传输系统中 , 由于系统的非线性传输特性 ,多频率的模拟信号会相互调制而产生多阶项的互调失真 ,其中二阶项引起的互调失真 。

  3.6

  三阶失真 third orderdistortion

  在多频道模拟传输系统中 , 由于系统的非线性传输特性 ,多频率的模拟信号会相互调制而产生多阶项的互调失真 ,其中三阶项引起的互调失真 。

  3.7

  灵敏度 receiversensitivity

  在规定的调制速率下 ,能满足比特误码率要求时 ,探测器组件所能接收到的最小平均光功率 。

  [来源 :YD/T 702—2018,3. 12,有修改] 3. 8

  最小可探测光功率 minimum detectableopticalpower

  在规定的调制频率及载噪比下 ,探测器组件能识别信号的最小光功率 。

  3.9

  过载光功率 overload opticalpower

  在规定的调制速率下 ,能满足比特误码率要求时 ,探测器组件所能接收的最大平均光功率 。

  3. 10

  击穿电压温度系数 temperaturecoefficientofbreakdown voltage

  APD 的击穿电压随温度的变化率 。

  3. 11

  电流响应度 currentresponsivity

  探测器组件的光电二极管在给定的波长光照下 ,输出电流与入射到光电二极管光敏面上的平均光功率之比 。

  [来源 :YD/T 702—2018,3. 9,有修改]

  3. 12

  光谱响应范围 operating wavelength range

  探测器组件对入射光功率产生光响应(即产生光生电流或光生电压)的光波长范围 。

  [来源 :YD/T 1321. 1—2004,3. 25,有修改]

  3. 13

  暗电流 dark current;Id

  探测器组件中的光电二极管在给定反向偏压下 ,无光照射时的电流 。

  [来源 :YD/T 3356. 2—2020,7. 10,有修改]

  3. 14

  光回波损耗 opticalreturn loss

  探测器组件的入射光功率与反射光功率之比的对数 ,如公式(1)所示 。

  ORL= 10 log10 (Pin/Pre) …………………………( 1 )

  式中 :

  ORL — 光回波损耗 ,单位为分贝(dB) ;

  Pin — 入射光功率 ,单位为毫瓦(mW) ;

  Pre — 反射光功率 ,单位为毫瓦(mW) 。

  [来源 :GB/T 21548—2021,3. 9,有修改]

  2

  GB/T 24366—2024

  3. 15

  接收组件带宽(-3dB) receiverbandwidth ( -3dB)

  在规定的输入光功率时 ,探测器组件幅频特性曲线下降 3 dB所对应的频率宽度 。

  [来源 :YD/T 3356. 2—2020,7. 25,有修改]

  3. 16

  载噪比 carriernoiseratio

  探测器组件输入光中经过调制的光信号的平均功率与噪声的平均功率之比 。

  4 缩略语

  下列缩略语适用于本文件 。

  APD:雪崩二极管(Avalanche Photo Diode)

  BER: 比特误码率(BitError Rate)

  ER:消光比(Extinction Ratio)

  NRZ:非归零(Non Return to Zero)

  OMA:光调制幅度(OpticalModulation Amplitude)

  ORL:光回波损耗(OpticalReturn Loss)

  PAM4: 四电平脉冲幅度调制(4Pulse Amplitude Modulation)

  PIN:P 型-本征-N 型(“P-type”-Intrinsic-“N-type”)

  PRBS:伪随机比特序列(Pseudo-Random BitSequence)

  SOA:半导体光放大器(Semiconductor OpticalAmplifier)

  TEC:半导体制冷器(Thermo-Electric Cooler)

  TIA:跨阻抗放大器(Trans-Impedance Amplifier)

  5 分类

  5. 1 应用类型

  探测器组件按照应用类型可分为以下两类 :

  — 数字应用光电探测器组件 ;

  — 模拟应用光电探测器组件 。

  5.2 芯片类型

  探测器组件按照使用光电芯片类型可分为以下五类 :

  —PIN+TIA光电探测器组件 ;

  —APD+TIA光电探测器组件 ;

  —PIN光电探测器组件 ;

  —PIN+TIA+SOA光电探测器组件 ;

  —APD+TIA+SOA光电探测器组件 。

  注 : APD+TIA+SOA光电探测器组件光电特性待研究 。

  5.3 波长

  探测器组件按照波长可分为以下两类 :

  — 短波长光电探测器组件 ;

  3

  GB/T 24366—2024

  — 长波长光电探测器组件 。

  5.4 光输入类型

  探测器组件按照光输入类型可分为以下两类 :

  — 可插拔光电探测器组件 ;

  — 尾纤型光电探测器组件 。

  6 技术要求

  6. 1 极限工作条件

  探测器组件极限工作条件见表 1。尾纤型探测器组件所用光纤要求符合 GB/T 9771(所有部分)或GB/T 12357(所有部分)的相关规定 。

  表 1 极限工作条件

  参数名称

  最小值

  最大值

  单位

  贮存温度

  -40

  +85

  ℃

  贮存相对湿度

  5

  95

  %

  工作管壳温度

  商业级

  -5

  +75

  ℃

  工业级

  -40

  +90

  ℃

  焊接温度

  —

  360a

  ℃

  输入光功率

  PIN+TIA光电探测器组件

  —

  4. 5

  dBm

  APD+TIA光电探测器组件

  —

  0

  dBm

  PIN光电探测器组件

  —

  4. 5

  dBm

  PIN+TIA+SOA光电探测器组件

  —

  5. 5

  dBm

  APD+TIA+SOA光电探测器组件

  —

  0

  dBm

  TIA工作电压

  3. 3 V

  -0. 5

  +4. 0

  V

  5 V

  -0. 5

  +6. 0

  V

  反偏电压(VR )

  PIN

  -0. 5

  +20. 0

  V

  APD

  0

  VBR

  V

  SOA工作电流

  —

  200

  mA

  SOA工作电压

  —

  2

  V

  TEC 电流

  —

  1. 2

  mA

  TEC 电压

  —

  2. 6

  V

  静电放电阈值

  PIN 型探测器组件

  —

  100

  V

  PIN 型探测器组件以外

  —

  300

  V

  尾纤最小弯曲半径 c

  30

  —

  mm

  15b

  —

  mm

  尾纤最大抗拉强度 c

  6. 8

  —

  kg

  a 焊接时间不小于 5 s。

  b 仅适用于 G. 657光纤 。

  c 仅适用于带尾纤的探测器组件 。

  4

  GB/T 24366—2024

  6.2 光电特性

  6.2. 1 PIN+TIA型探测器组件

  PIN+TIA 型探测器组件的光电特性应符合表 2 的要求 。

  表 2 PIN+TIA型探测器组件的光电特性

  参数名称

  符号

  条件

  最小值

  最大值

  单位

  光谱响应范围

  λ

  短波长

  400

  1 100

  nm

  长波长

  1 260

  1 700

  nm

  ORL

  —

  非高回损

  12

  —

  dB

  高回损

  26

  —

  dB

  长波长应用a

  灵敏度

  S

  155 MBd,PRBS: 223-1,BER:10- 10 ,ER:10 dB

  —

  -34

  dBm

  622 MBd,PRBS: 223-1,BER:10- 10 ,ER:10 dB

  —

  -28

  dBm

  1. 25 GBd,PRBS: 223-1,BER:10- 10 ,ER:10 dB

  —

  -20

  dBm

  2. 488 32 GBd,PRBS: 223-1,BER:10- 10 ,ER:10 dB

  —

  -18

  dBm

  10. 312 5 GBd,PRBS: 231-1,BER:10- 12 ,ER:5 dB

  —

  -12. 8

  dBm

  25. 78GBd,PRBS: 231-1,BER:5× 10- 5 ,ER:4. 5 dB

  —

  -11. 8

  dBm

  26. 562 5 GBd,PRBS31Q PAM4,BER:2. 4×10-4 ,ER:4. 5 dB

  —

  -6. 9

  dBm

  53. 125 GBd,PRBS31Q PAM4,BER:2. 4×10-4 ,ER:4. 5 dB

  —

  -3. 9

  dBm

  加压灵敏度b

  —

  155 MBd,PRBS: 223-1,BER:10- 10 ,ER:10 dB

  —

  —

  dBm

  622 MBd,PRBS: 223-1,BER:10- 10 ,ER:10 dB

  —

  —

  dBm

  1. 25 GBd,PRBS: 223-1,BER:10- 10 ,ER:10 dB

  —

  —

  dBm

  2. 488 32 GBd,PRBS: 223-1,BER:10- 10 ,ER:10 dB

  —

  —

  dBm

  10. 312 5 GBd,PRBS: 231-1,BER:10- 12 ,ER:5 dB

  —

  -10. 5

  dBm

  25. 78GBd,PRBS: 231-1,BER:5× 10- 5 ,ER:4. 5 dB

  —

  -9. 3

  dBm

  26. 562 5 GBd,PRBS31Q PAM4,BER:2. 4×10-4 ,ER:4. 5 dB

  —

  -5. 3

  dBm

  53. 125 GBd,PRBS31Q PAM4,BER:2. 4×10-4 ,ER:4. 5 dB

  —

  -1. 9

  dBm

  过载光功率

  —

  155 MBd,PRBS: 223-1,BER:10- 10 ,ER:10 dB

  -8

  —

  dBm

  622 MBd,PRBS: 223-1,BER:10- 10 ,ER:10 dB

  -8

  —

  dBm

  1. 25 GBd,PRBS: 223-1,BER:10- 10 ,ER:10 dB

  -3

  —

  dBm

  2. 488 32 GBd,PRBS: 223-1,BER:10- 10 ,ER:10 dB

  -3

  —

  dBm

  10. 312 5 GBd,PRBS: 231-1,BER:10- 12 ,ER:5 dB

  0. 5

  —

  dBm

  25. 78GBd,PRBS: 231-1,BER:5× 10- 5 ,ER:4. 5 dB

  2

  —

  dBm

  26. 562 5 GBd,PRBS31Q PAM4,BER:2. 4×10-4 ,ER:4. 5 dB

  3

  —

  dBm

  53. 125 GBd,PRBS31Q PAM4,BER:2. 4×10-4 ,ER:4. 5 dB

  4. 2

  —

  dBm

  5

  GB/T 24366—2024

  表 2 PIN+TIA型探测器组件的光电特性 (续)

  参数名称

  符号

  条件

  最小值

  最大值

  单位

  接收组件带宽

  ( -3dB)

  B

  155 MBd应用

  77. 5

  —

  MHz

  622 MBd应用

  311

  —

  MHz

  1. 25 GBd应用

  625

  —

  MHz

  2. 488 32 GBd应用

  1. 25

  —

  GHz

  10. 312 5 GBd应用

  5

  —

  GHz

  25. 78GBd应用

  12. 5

  —

  GHz

  49. 7664 Bd应用

  25

  —

  GHz

  26. 562 5 GBd(PAM4)应用

  16

  —

  GHz

  53. 125 GBd(PAM4)应用

  27

  —

  GHz

  短波长应用 c

  灵敏度

  S

  1. 25 GBd,PRBS: 223-1,BER:10- 10 ,ER:10 dB

  —

  -18

  dBm

  2. 488 32 GBd,PRBS: 223-1,BER:10- 10 ,ER:10 dB

  —

  -17

  dBm

  10. 312 5 GBd,PRBS: 231-1,BER:10- 12 ,ER:5 dB

  —

  -11. 3

  dBm

  14. 025 GBd,PRBS: 231-1,BER:10- 12 ,ER:5 dB

  —

  -10. 7

  dBm

  25. 78GBd,PRBS: 231-1,BER:5× 10- 5 ,ER:4. 5 dB

  —

  -10. 1

  dBm

  26. 562 5 GBd,PRBS31Q PAM4,BER:2. 4×10-4 ,ER:4. 5 dB

  —

  -6. 5

  dBm

  加压灵敏度d

  —

  1. 25 GBd,PRBS: 223-1,BER:10- 10 ,ER:10 dB

  —

  —

  dBm

  2. 488 32 GBd,PRBS: 223-1,BER:10- 10 ,ER:10 dB

  —

  —

  dBm

  10. 312 5 GBd,PRBS: 231-1,BER:10- 12 ,ER:5 dB

  —

  -7. 7

  dBm

  14. 025 GBd,PRBS: 231-1,BER:10- 12 ,ER:5 dB

  —

  —

  dBm

  25. 78GBd,PRBS: 231-1,BER:5× 10- 5 ,ER:4. 5 dB

  —

  -5. 3

  dBm

  26. 562 5 GBd,PRBS31Q PAM4,BER:2. 4×10-4 ,ER:4. 5 dB

  —

  -3. 4

  dBm

  过载光功率

  —

  1. 25 GBd,PRBS: 223-1,BER:10- 10 ,ER:10 dB

  0

  —

  dBm

  2. 488 32 GBd,PRBS: 223-1,BER:10- 10 ,ER:10 dB

  0

  —

  dBm

  10. 312 5 GBd,PRBS: 231-1,BER:10- 12 ,ER:5 dB

  -1

  —

  dBm

  14. 025 GBd,PRBS: 231-1,BER:10- 12 ,ER:5 dB

  0

  —

  dBm

  25. 78GBd,PRBS: 231-1,BER:5× 10- 5 ,ER:4. 5 dB

  2. 5

  —

  dBm

  26. 562 5 GBd,PRBS31Q PAM4,BER:2. 4×10-4 ,ER:4. 5 dB

  4

  —

  dBm

  接收组件带宽

  ( -3dB)

  B

  1. 25 GBd应用

  625

  —

  MHz

  2. 488 32 GBd应用

  1. 25

  —

  GHz

  10. 312 5 GBd应用

  5

  —

  GHz

  14. 025 GBd应用

  7

  —

  GHz

  25. 78GBd应用

  12. 5

  —

  GHz

  49. 7664 Bd应用

  25

  —

  GHz

  6

  GB/T 24366—2024

  表 2 PIN+TIA型探测器组件的光电特性 (续)

  参数名称

  符号

  条件

  最小值

  最大值

  单位

  接收组件带宽

  ( -3dB)

  B

  26. 562 5 GBd(PAM4)应用

  16

  —

  GHz

  53. 125 GBd(PAM4)应用

  27

  —

  GHz

  注 : 长波长应用中 49. 7664 GBd灵敏度 、加压灵敏度和过载光功率等参数待研究 ;短波长应用中 49. 7664 GBd和53. 125 GBd灵敏度 、加压灵敏度和过载光功率等参数待研究 。

  10. 312 5 GBd加压灵敏度所加抖动应符合 IEEE 802. 3—2022 中表 52-13和表 52-19的规定 ;25. 78GBd加压灵敏度所加抖动应符合 IEEE 802. 3—2022 中表 114-4和表 114-10的规定 ;26. 562 5 GBd加压灵敏度所加抖动应符合 IEEE 802. 3—2022 中表 139-7和表 121-12的规定 ;53. 125GBd加压灵敏度所加抖动应符合 IEEE 802. 3— 2022 中表 140-7和表 121-12的规定 。

  b(a) λ= 1 310 nm ,NRZ(除非另有规定) ,VR = 3. 3 V。

  10. 312 5 GBd加压灵敏度所加抖动应符合 IEEE 802. 3—2022 中 表 52-9和 表 52-19 的 规 定 ;25. 78 GBd加 压 灵敏度所加抖动应符合 IEEE 802. 3—2022 中表 95-7和表 95-11的规定 ;26. 562 5 GBd加压灵敏度所加抖动应符合 IEEE 802. 3—2022 中表 138-9和表 138-13的规定 。

  d(c) λ= 850 nm ,NRZ(除非另有规定) ,VR = 3. 3 V。

  6.2.2 APD+TIA型探测器组件

  APD+TIA 型探测器组件的光电特性应符合表 3 的要求 。

  表 3 APD+TIA型探测器组件的光电特性

  参数名称

  符号

  条件

  最小值

  最大值

  单位

  光谱响应范围

  λ

  —

  1 260

  1 700

  nm

  光电倍增因子

  M

  VR :0. 90VBR ~ 0. 98VBR 、λ= 1 310 nm 、输入光功率 1 μW

  3

  15

  —

  ORL

  —

  高回损

  26

  —

  dB

  击穿电压

  VBR

  Id= 10 μA或 Id= 100 μA

  15

  75

  V

  击穿电压温度系数

  Г

  —

  —

  0. 2

  V/℃

  灵敏度a

  S

  155 MBd,PRBS: 223-1,BER:10- 10 ,ER:10 dB

  —

  -43

  dBm

  622 MBd,PRBS: 223-1,BER:10- 10 ,ER:10 dB

  —

  -34

  dBm

  1. 25 GBd,PRBS: 223-1,BER:10- 10 ,ER:10 dB

  —

  -31

  dBm

  2. 488 32 GBd,PRBS: 223-1,BER:10- 10 ,ER:10 dB

  —

  -28

  dBm

  10. 312 5 GBd,PRBS: 231-1,BER:10- 12 ,ER:10 dB

  —

  -24

  dBm

  25. 78GBd,PRBS: 231-1,BER:5× 10- 5 ,ER:4. 5 dB

  —

  -18. 8

  dBm

  26. 562 5 GBd,PRBS31Q PAM4,BER:2. 4×10-4 ,ER:4. 5 dB

  —

  -15. 1

  dBm

  加压灵敏度a,b

  —

  155 MBd,PRBS: 223-1,BER:10- 10 ,ER:10 dB

  —

  —

  dBm

  622 MBd,PRBS: 223-1,BER:10- 10 ,ER:10 dB

  —

  —

  dBm

  1. 25 GBd,PRBS: 223-1,BER:10- 10 ,ER:10 dB

  —

  —

  dBm

  7

  GB/T 24366—2024

  表 3 APD+TIA型探测器组件的光电特性 (续)

  参数名称

  符号

  条件

  最小值

  最大值

  单位

  加压灵敏度a,b

  —

  2. 488 32 GBd,PRBS: 223-1,BER:10- 10 ,ER:10 dB

  —

  —

  dBm

  10. 312 5 GBd,PRBS: 231-1,BER:10- 12 ,ER:10 dB

  —

  —

  dBm

  25. 78GBd,PRBS: 231-1,BER:5× 10- 5 ,ER:4. 5 dB

  —

  -16. 3

  dBm

  26. 562 5 GBd,PRBS31Q PAM4,BER:2. 4×10-4 ,ER:4. 5 dB

  —

  -13. 3

  dBm

  过载光功率a

  —

  155 MBd,PRBS: 223-1,BER:10- 10 ,ER:10 dB

  -10

  —

  dBm

  622 MBd,PRBS: 223-1,BER:10- 10 ,ER:10 dB

  -10

  —

  dBm

  1. 25 GBd,PRBS: 223-1,BER:10- 10 ,ER:10 dB

  -8

  —

  dBm

  2. 488 32 GBd,PRBS: 223-1,BER:10- 10 ,ER:10 dB

  -8

  —

  dBm

  10. 312 5 GBd,PRBS: 231-1,BER:10- 12 ,ER:10 dB

  -7

  —

  dBm

  25. 78GBd,PRBS: 231-1,BER:5× 10- 5 ,ER:4. 5 dB

  -4

  —

  dBm

  26. 562 5 GBd,PRBS31Q PAM4,BER:2. 4×10-4 ,ER:4. 5 dB

  -3. 4

  —

  dBm

  接收组件带宽a

  ( -3dB)

  B

  155 MBd应用

  77. 5

  —

  MHz

  622 MBd应用

  311

  —

  MHz

  1. 25 GBd应用

  625

  —

  MHz

  2. 488 32 GBd应用

  1. 25

  —

  GHz

  10. 312 5 GBd应用

  5

  —

  GHz

  25. 78GBd应用

  12. 5

  —

  GHz

  49. 7664 Bd应用

  25

  —

  GHz

  26. 562 5 GBd(PAM4)应用

  16

  —

  GHz

  53. 125 GBd(PAM4)应用

  27

  —

  GHz

  注 : 49. 7664 GBd和 53. 125 GBd的灵敏度 、加压灵敏度和过载光功率等参数待研究 。

  b(a) λ= 1 310 nm ,NRZ(除非另有规定) ,VR = 3. 3 V。

  25. 78GBd加压灵敏度所加抖动应符合 IEEE 802. 3—2022 中 表 114-4和 表 114-10 的 规 定 ;26. 562 5 GBd加 压灵敏度所加抖动应符合 IEEE 802. 3—2022 中表 139-7和表 121-12的规定 。

  6.2.3 PIN 型探测器组件

  PIN 型探测器组件的光电特性应符合表 4 的要求 。

  表 4 PIN 型探测器组件的光电特性

  参数名称

  符号

  条件

  最小值

  最大值

  单位

  光谱响应范围

  λ

  短波长

  400

  1 100

  nm

  长波长

  1 100

  1 700

  电流响应度

  R

  长波长 ,λ= 1 310 nm

  0. 8

  —

  A/W

  短波长 ,λ= 850 nm

  0. 4

  —

  A/W

  8

  GB/T 24366—2024

  表 4 PIN 型探测器组件的光电特性 (续)

  参数名称

  符号

  条件

  最小值

  最大值

  单位

  最小可探测光功率

  S

  VR = 5 V,V1 ,V2 ,调制速率a

  —

  -60

  dBm

  ORL

  —

  λ

  30

  —

  dB

  暗电流

  Id

  VR = 5 V,无光

  —

  1

  nA

  反偏电压

  VR

  —

  0

  15

  V

  接收组件带宽( -3dB) b

  B

  -3 dB,VR = 5 V,输入光功率为 -30dBm

  0. 3

  —

  GHz

  频响平坦度

  —

  VR = 5 V

  —

  3

  dB

  二阶失真

  CSO

  VR = 5 V,输入光功率为 0 dBm,f1 和 f2b

  -70

  —

  dBc

  三阶失真

  CTB

  VR = 5 V,输入光功率为 0 dBm,f1 和 f2b

  -80

  —

  dBc

  a V1 和 V2 应符合 GB/T 24365—2009中 4. 3. 2 的要求 ,调制速率根据应用场景需要选择 。 b f1 和 f2 应符合 GB/T 24365—2009中 4. 3. 13和 4. 3. 14的需求 。

  6.2.4 PIN+TIA+SOA型探测器组件

  PIN+TIA+SOA 型探测器组件的光电特性应符合表 5 的要求 。

  表 5 PIN+TIA+SOA型探测器组件的光电特性

  参数名称

  符号

  条件

  最小值

  最大值

  单位

  光谱响应范围

  λ

  —

  1 294

  1 311

  nm

  ORL

  —

  高回损

  26

  —

  dB

  SOA光放大倍数

  G

  入射光小于 -20dBm

  14

  25

  dB

  灵敏度a

  S

  25. 78Gb/s,PRBS: 231-1,BER:1× 10- 12 ,ER:8 dB

  —

  -29

  dBm

  加压灵敏度a

  —

  25. 78Gb/s,PRBS: 231-1,BER:1× 10- 12 ,ER:8 dB

  —

  -19. 5

  dBm

  过载光功率a

  —

  25. 78Gb/s,PRBS: 231-1,BER:1× 10- 12 ,ER:8 dB

  4

  —

  dBm

  a NRZ,加压灵敏度所加抖动应符合 IEEE 802. 3—2022 中表 88-8和表 88-13的规定 。

  6.3 环保符合性

  探测器组件的组成材料按照 GB/T 26572的规定进行分类 , 限用物质含量按照 GB/T 39560(所有部分)规定的方法进行试验 。检测单元尽可能拆分成均质材料 ,各均质材料中限用物质的含量应符合表6 中的限值要求 。

  表 6 探测器组件中各均质材料限用物质的含量限值

  限用物质种类

  限用物质名称

  含量限值

  重金属

  铅

  ≤0. 1%

  汞

  ≤0. 1%

  镉

  ≤0. 01%

  六价铬

  ≤0. 1%

  9

  GB/T 24366—2024

  表 6 探测器组件中各均质材料限用物质的含量限值 (续)

  限用物质种类

  限用物质名称

  含量限值

  有机溴代物

  多溴联苯

  ≤0. 1%

  多溴二苯醚

  ≤0. 1%

  邻苯二甲酸酯

  邻苯二甲酸二(2-乙基己基)酯

  ≤0. 1%

  邻苯二甲酸甲苯基丁酯

  ≤0. 1%

  邻苯二甲酸二丁基酯

  ≤0. 1%

  邻苯二甲酸二异丁酯

  ≤0. 1%

  10

  GB/T 24366—2024

  参 考 文 献

  [1] GB/T 21548—2021 光通信用高速直接调制半导体激光器的测量方法

  [2] YD/T 702—2018 PIN/FET光接收组件测试方法

  [3] YD/T 1321. 1—2004 具 有 复 用/去 复 用 功 能 的 光 收 发 合 一 模 块 技 术 条 件 第 1 部 分 : 2. 5 Gb/s 光收发合一模块

  [4] YD/T 3356. 2—2020 100Gb/s及以上速率光收发组件 第 2 部分 :4×25Gb/sLR4

  [5] ITU-T G. 957(2006) Optical interfaces for equipments and systems relating to the syn- chronous digitalhierarchy

  11

29139373629
下载排行 | 下载帮助 | 下载声明 | 信息反馈 | 网站地图  360book | 联系我们谢谢