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T/CASAS 010-2019 氮化镓材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法

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  • 类  别:综合团体标准
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资料介绍

本标准规定了用二次离子质谱仪测定半导体氮化镓材料中痕量杂质(硅、铝、锌、铁)浓度及分布的方法。
本标准适用于半导体氮化镓材料中痕量杂质(硅、铝、锌、铁)浓度及分布的分析,其中硅、铝、锌、铁的浓度均大于1×1015 atoms/cm3。其它杂质的检测可参照执行。

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