T/CASAS 019-2021 微纳米金属烧结体电阻率试验方法 四探针法

本文件规定了第三代半导体器件封装用微纳米金属烧结体的电阻率测试方法。
本文件适用于第三代半导体器件封装用微纳米金属烧结体的电阻率测试评价；此烧结体不包含烧结件的被连接件（如芯片）、连接基体。
本方法适用于直径大于探针间距10倍、厚度小于探针间距4倍的微纳米金属烧结体圆形样品体积电阻率的测试，不适用于薄膜样品方块电阻的测试。