您当前的位置：首页 > SJ/T 1472-2016 半导体分立器件 3CG110型硅PNP高频小功率晶体管详细规范 > 下载地址2
SJ/T 1472-2016 半导体分立器件 3CG110型硅PNP高频小功率晶体管详细规范
- 英文名称：Semiconductor discrete devices Detail specification for type 3CG110 high frequency low power PNP silicon transistor
- 下载地址：[下载地址2]
- 提 取 码：i5id
- 浏览次数：3
发表评论 加入收藏夹 错误报告目录| 新闻评论（共有 0 条评论） |
资料介绍
本标准规定了3CG110型硅PNP高频小功率晶体管器件的外形尺寸、最大额定值和电特性，试验条件和检验要求。
下一篇: SJ/T 11666.8-2016 制造执行系统（MES）规范 第8部分：服务质量度量
上一篇: SJ/T 1477-2016 半导体分立器件 3CG120型硅PNP高频小功率晶体管详细规范
相关推荐
- SJ 21276-2018 微波组件键合工艺技术要求
- SJ/T 11654-2016 固态盘通用规范
- SJ/T 11783-2021 智慧健康养老服务平台参考模型
- SJ/T 11666.9-2016 制造执行系统（MES）规范 第9部分：机械加工行业制造执行系统软件功能
- SJ 21150-2016 微波组件印制电路板设计指南
- SJ∕T 3172.13-2013 铁氧体磁心的尺寸 第13部分：电源用PQ型磁心
- SJ/T 10410-2016 永磁铁氧体材料
- SJ/T 11666.4-2016 制造执行系统（MES）规范 第4部分：接口与信息交换
- SJ/T 11805-2022 人工智能从业人员能力要求
- SJ 21277-2018 微波组件半水清洗工艺技术要求
