以下是文档《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)功率器件开关动态测试方法》(T/CASAS 033-2024)的主要内容总结：​​一、范围与适用性​​ ​​核心范围​​ 规定​​双脉冲测试​​条件下SiC MOSFET功率器件的开关动态测试方法。 适用于​​分立器件​​和​​功率模块​​等封装形式的SiC MOSFET。 SiC JFET、BJT、IGBT等其他SiC晶体管可参照执行。 ​​测试...

上一篇：T/CASAS 036-2025 碳化硅单晶生长用等静压石墨构件纯度测定方法 辉光放电质谱法
下一篇：T/CASAS 021-2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFETs)阈值电压测试方法