碳化硅宽带隙半导体技术作者:郝跃,彭军,杨银堂编著 出版时间:2000.5丛编项:微电子学丛书本书介绍了碳化硅宽带隙半导体的基本性质,晶体及薄膜生长技术,器件工艺以及在高温、高频、大功率器件等领域的应用,同时也对金刚石以及CaN基Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体作了简单介绍... 上一篇:电子电路原理(第2版) 上下册下一篇:现代微波滤波器的结构与设计