本标准规定了硅烷气体的技术要求、试验方法、标志、包装、贮运及安全的内容。本标准适用于硅化镁法、氢化铝钠还原四氟化硅法、氯硅烷歧化工艺法制备的电子工业用硅烷。 它主要用于制作高纯多晶硅、二氧化硅的低温化学气相淀积、氮化硅化学气相淀积、多晶硅隔离层、多晶硅欧姆接触层和异质或同质硅外延生长原料以及离子注入源和激光介质等，还可用于制作太阳能电池、光导纤维和光电传感器等。分子式：SiH4。相对分子质量：32.117（按2011年国际相对原子质量）。
替代标准：GB/T 15909-2009



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