本文件描述了半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法。
本文件适用于测量电阻率范围为 1×10 5 Ω·cm～1×1012Ω·cm的半绝缘碳化硅单晶片。


上一篇: GB/T 42129-2022 数据管理能力成熟度评估方法
下一篇: GB/T 42276-2022 氮化硅粉体中氟离子和氯离子含量的测定 离子色谱法