本文件规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)功率循环试验方法,包括:试验装置、试验程序以及失效判据。本文件适用于不带反向并联肖特基二极管的SiC MOSFET分立器件的功率循环试验。 上一篇: T/CASAS 014-2021 碳化硅衬底基平面弯曲的测定 高分辨X射线衍射法 下一篇: T/CASAS 016-2022 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)结壳热阻瞬态双界面测试方