太阳能电池器件物理(原著第2版 英文版) 出版时间:2011年版内容简介《太阳电池器件物理(原著第2版)》利用数值分析与解析分析方法对同质结太阳电池、半导体-半导体异质结太阳电池、表面势垒太阳电池以及染料敏化太阳电池进行了深入研究,定量描述了器件中电荷产生、分离与复合过程,及其对器件性能的影响。《太阳电池器件物理(原著第2版)》首先介绍了太阳电池进行能量转换的4个基本步骤,阐述了太阳电池进行能量转换的基础——材料性质和器件物理。然后讨论了太阳电池的器件结构。其次分别对同质结太阳电池等4种太阳电池进行了全面的分析和论述。最后部分给出了太阳电池设计所需要的各种参考数据等。目录序言致谢符号表缩略语表1 引言1.1 光伏能量转换1.2 太阳电池和太阳能转换1.3 太阳电池的应用参考文献2 材料性质与光伏器件物理基础2.1 引言2.2 材料性质2.2.1 固体的结构2.2.2 固体的声子谱2.2.3 固体的电子能级2.2.4 固体的光学现象2.2.5 载流子的复合与捕获2.2.6 光生载流子的产生2.3 输运2.3.1 体相中的输运过程2.3.2 界面间的输运过程2.3.3 连续方程2.3.4 静电场2.4 数学表达式2.5 光伏作用的起源参考文献3 结构、材料与尺度3.1 引言3.2 光伏作用的基本结构3.2.1 能级图概述3.2.2 源于内建静电场的光伏作用3.2.3 源于扩散的光伏作用3.2.4 源于有效场的光伏作用3.2.5 实际结构概要3.3 关键材料3.3.1 吸光材料3.3.2 接触材料3.4 材料与结构的尺度效应3.4.1 吸收与收集中的尺度作用3.4.2 利用纳米尺度捕获损失的能量3.4.3 光捕获中的尺度作用参考文献4 同质结太阳电池4.1 引言4.2 同质结太阳电池概述4.2.1 输运4.2.2 同质结势垒区4.3 同质结器件物理分析:数值分析方法4.3.1 基本的p-n同质结4.3.2 增加前HT-EBL层4.3.3 增加前HT-EBL层与后ET-HBL层4.3.4 增加前高低结4.3.5 具有前HT-EBL层与后ET-HBL层的p-i-n电池4.3.6 使用弱吸光材料的p-i-n电池4.4 同质结器件物理分析:解析分析方法4.4.1 基本的p-n同质结4.5 一些同质结结构器件参考文献5 半导体-半导体异质结太阳电池5.1 引言5.2 异质结太阳电池器件物理概述5.2.1 输运5.2.2 异质结势垒区5.3 异质结器件物理分析:数值分析方法5.3.1 光激发产生自由电子与空穴5.3.2 光激发产生激子5.4 异质结器件物理分析:解析分析方法5.4.1 光激发产生自由电子与空穴5.4.2 光激发产生激子5.5 一些异质结结构器件参考文献6 表面势垒太阳电池6.1 引言6.2 表面势垒太阳电池器件物理概述6.2.1 输运6.2.2 表面势垒区6.3 表面势垒器件物理分析:数值分析方法6.4 表面势垒器件物理分析:解析分析方法6.5 一些表面势垒结构器件参考文献7 染料敏化太阳电池7.1 引言7.2 染料敏化太阳电池概述7.2.1 输运7.2.2 染料敏化太阳电池势垒区7.3 染料敏化太阳电池器件物理分析:数值方法7.4 一些染料敏化太阳电池结构器件参考文献附录A:吸收系数附录B:辐射复合附录C:肖克莱一里德一霍尔(隙间态辅助)复合附录D:导带与价带输运附录E:准中性区假设与寿命半导体附录F:确定同质结空间电荷中性区的p(x)与n(x)附录G:确定异质结p型底部材料的空间电荷中性区的n(x)索引 上一篇: 光伏电池原理与工艺 下一篇: 太阳能级硅提纯技术与装备