新型氧化锌基光电材料作者:蒋大勇,邓蕊,秦杰明 著出版时间:2014年版内容简介 《新型氧化锌基光电材料》介绍了新型氧化锌基光电材料的制造工艺和应用状况。本书主要对MSM结构ZnO肖特基型紫外光电探测器、可见盲与太阳盲MgZnO紫外光电探测器、n-ZnO/p-NiO异质结、高温高压下MgZnO的制备、高温高压下ZnO低阻透明陶瓷的制备、高温高压下p型ZnO陶瓷的制备、Sn掺杂ZnO纳米线和Sn、Mn共掺杂等进行了深入的分析和探讨。《新型氧化锌基光电材料》可供从事新型ZnO基光电材料研究、开发、生产的科技工作者以及相关专业的本科生、研究生阅读参考。目录序言前言第一篇 ZnO基光电薄膜材料第1章 MSM结构ZnO肖特基型紫外光电探测器1.1 MSM电极工作原理与制备1.1.1 MSM电极工作原理1.1.2 MSM电极制备1.2 ZnO紫外光电探测器的研究进展1.3 ZnO薄膜的制备及表征1.4 ZnO肖特基型紫外光电探测器的制备与表征1.5 电场对ZnO肖特基型紫外光电探测器性能的影响参考文献第2章 可见盲与太阳盲MgZnO紫外光电探测器2.1 MgZnO紫外光电探测器的研究进展2.2 可见盲MgZnO紫外光电探测器的制备与表征2.2.1 可见盲波段MgZnO薄膜的制备与结构表征2.2.2 肖特基型Mg0.40Zn0.60O可见盲紫外光电探测器特性研究2.2.3 光导型Mg0.40Zn0.60O可见盲紫外光电探测器的特性研究2.3 太阳盲MgZnO紫外光电探测器的制备与表征2.3.1 太阳盲波段MgZnO薄膜的制备与结构表征2.3.2 太阳盲MgZnO紫外光电探测器特性研究2.4 MgZnO紫外光电探测器的变温响应度研究2.4.1 MgZnO紫外光电探测器的变温响应特性研究2.4.2 MgZnO紫外光电探测器的响应度特性研究参考文献第3章 n-ZnO/p-NiO异质结3.1 ZnOLED的研究进展3.2 n-ZnO/p-NiO异质结能带偏移3.2.1 样品的制备3.2.2 n-ZnO/p-NiO异质结价带偏移的测定方法和计算3.3 n-ZnO/p-NiO异质结电致发光性能参考文献第二篇 ZnO基光电陶瓷材料第4章 高压条件下MgZnO的制备及表征4.1 MgZnO陶瓷的研究现状4.2 MgO和ZnO在高温高压下的行为4.3 高压下MgZnO的制备及表征4.3.1 干法混合原料制备MgZnO4.3.2 湿法混合原料制备MgZnO4.4 机理及存在的问题和拟解决的方法参考文献第5章 ZnO透明陶瓷的制备及光电性能5.1 氧化物透明陶瓷的研究现状5.1.1 透明陶瓷在国外的发展现状5.1.2 透明陶瓷在国内的发展现状5.1.3 透明陶瓷的影响因素5.2 ZnO透明陶瓷研究的目的和意义5.3 ZnO粉体的制备工艺5.4 ZnO透明陶瓷的制备及表征5.5 ZnO陶瓷透明机理分析5.6 ZnO透明陶瓷的光电性能参考文献第6章 高压下ZnO的p型掺杂和表征6.1 p型ZnO的研究现状6.2 实验方法6.3 Sb掺杂的ZnO结构、掺杂状态和成分的表征6.4 ZnO/Sb晶体的电、光性能研究参考文献第三篇 ZnO基光电纳米材料第7章 Sn掺杂ZnO纳米带7.1 Sn掺杂ZnO纳米结构材料的研究进展7.2 Sn掺杂ZnO纳米带的结构特性7.2.1 Sn掺杂ZnO纳米带的制备7.2.2 纳米带的形貌和结构7.2.3 室温下的光致发光谱7.3 ZnO纳米带的结构和光学性质随Sn浓度的变化7.3.1 不同Sn掺杂浓度的ZnO纳米带的制备7.3.2 不同掺杂浓度的ZnO纳米带的晶体结构7.3.3 掺杂浓度对ZnO纳米带形貌和结构的影响7.4 掺杂对ZnO纳米带光学性质的影响7.4.1 对Raman光谱的影响7.4.2 对光致发光(PL)光谱的影响参考文献 上一篇: 新一代锂二次电池技术 下一篇: 质子交换膜燃料电池扩散层物性分形表征方法及其应用