材料结构与物性研究出版时间:2018年版内容简介 《材料结构与物性研究》采用基于密度泛函理论的0性原理计算方法对半导体材料Si、二元半导体化合物(Bil3、Li3Bi、Sbl,、Asl3)和过渡金属化合物(Mo2BC、Mo3Al2C)在高压下的结构、力学和电子性质进行了系统的研究。《材料结构与物性研究》共分10章,第1章为绪论部分,第2章是First-Principles(第1性原理)计算的理论方法,第3章是计算程序MaterialsStudio简介,第4章介绍了半导体化合物BiI3的晶体结构、弹性性质、电子性质和高压下的结构相变,第5章、第6章和第7章分别介绍了高压下Li3Bi、SbI3和AsI3的晶体结构、弹性性质和电子性质,第8章和第9章介绍了过渡金属化合物M02BC、M03Al2C的晶体结构、弹性性质和电子性质,第10章分析了单晶Si的晶体结构、弹性性质和电子性质。《材料结构与物性研究》可供从事第1性原理计算研究的学者和其他从事新材料研究和开发的技术人员阅读,也可供相关专业从事新材料工程应用的技术人员学习参考。同时,《材料结构与物性研究》也可作为高等院校材料、物理、化学、电子等相关专业本科和研究生的学习参考书。目录1 绪论1.1 高压对材料物性的影响1.2 材料在高压下的结构相变和电子相变1.3 BiI3和Li3Bi的研究现状1.4 本书的主要内容和意义参考文献2 理论研究方法2.1 引言2.2 密度泛函理论简介2.2.1 Bom-Oppenheimer绝热近似2.2.2 Hartree-Fock近似2.2.3 Hohenberg-Kohn定理2.2.4 Kohn-Sham方程2.2.5 常用的交换关联函数2.2.6 布洛赫定理2.2.7 平面波基矢2.3 赝势2.4 弹性常数的计算2.5 计算程序简要介绍参考文献3 MaterialsStudio简介3.1 MaterialsStudio与CASTEP3.1.1 新建工程3.1.2 创建晶体结构3.1.3 CASTEP计算3.1.4 分析结果3.2 计算实例3.2.1 制作Si表面3.2.2 电荷密度图3.2.3 光谱计算3.2.4 磁性计算3.2.5 声子谱参考文献4 高压下BiI3物性的第一性原理研究4.1 BiI3的研究现状4.2 计算参数选择4.3 BiI3结构模型的第一性原理研究4.3.1 BiI3稳定结构的确定4.3.2 BiI3的弹性特征4.3.3 BiI3在压力下的结构相变4.3.4 8iI3的电子结构特征4.4 本章总结参考文献5 高压下Li3Bi物性的第一性原理研究5.1 Li3Bi的研究现状5.2 计算细节5.3 结果与讨论5.3.1 Li3Bi稳定结构的确定5.3.2 Li3Bi的弹性特征5.3.3 L13Bi电子结构特征5.4 本章总结参考文献6 SbI3结构和力学性质的第一性原理计算6.1 SbI3的研究现状6.2 计算细节6.3 结果与讨论6.4 本章总结参考文献……7 AsI3电子结构与弹性性质的第一性原理研究8 Mo2BC弹性性质和电子性质的第一性原理研究9 Mo3Al2C弹性性质和电子性质的第一性原理研究10 Si的结构、力学和电子性质的第一性原理计算 上一篇: 材料科学与工程专业实验教程 下一篇: 材料加工先进技术与MSC.Marc实现