硅灰石基LTCC陶瓷基板材料改性及介电机理
作　者： 何茗，慕东，黄嘉 着
出版时间： 2014
丛编项： 信息材料与应用技术丛书
内容简介
《硅灰石基LTCC陶瓷基板材料改性及介电机理》较为详细地介绍了硅灰石型玻璃陶瓷基板材料制备、对硅灰石型玻璃陶瓷的结晶相和玻璃相进行了定量分析、建立主晶相硅灰石（β-CaSiO3）的介电模型，并着重讨论烧结温度对硅灰石介电性能的影响。根据广义等效介质方程，建立了β-CaSiO3、CaB2O4、SiO2和残余玻璃的复合介质模型，并讨论不同组分的β-CaSiO3所形成的复合材料的介电常数和损耗随温度的变化关系。并用实验结果对理论模型进行了修正。为基板材料的理论和实验相结合研究提供了一个典型的范例。
目　　录
1　绪论
　1.1　多芯片组件
　1.2　低温共烧技术
　　1.2.1　LTCC的发展现状
　　1.2.2　LTCC的材料体系
　1.3　硅灰石基LTCC基板材料
　　1.3.1　硅灰石概述
　　1.3.2　硅灰石基LTCC材料的实验研究状况
　　1.3.3　硅灰石基LTCC基板材料的理论研究状况
2　硅灰石基LTCC样本制备
　2.1　引言
　　2.1.1　硅灰石晶体及玻璃陶瓷
　　2.1.2　硅灰石基LTCC常见制备方法
　2.2　硅灰石基LTCC材料的制备
　　2.2.1　B系样本的配方设计
　　2.2.2　性能测试
　　2.2.3　结果与讨论
　2.3　Zr掺杂的硅灰石基LTCC(Z系)的制备和性能分析
　　2.3.1　Zr掺杂的硅灰石基LTCC的制备
　　2.3.2　结果与讨论
　2.4　Ti掺杂的硅灰石基LTCC(T系)的制备和性能研究
　　2.4.1　T系样本的制备
　　2.4.2　结果与讨论
3　硅灰石基LTCC材料的定量分析
　3.1　引言
　3.2　XRD测试过程
　3.3　Rietveld全谱拟合结合体积加和法则进行定量分析
　　3.3.1　Rietveld全谱拟合分析方法与原理
　　3.3.2　结果与讨论
　3.4　Rietveld全谱拟合法结合分峰法定量分析
　　3.4.1　分峰法计算原理
　　3.4.2　结晶峰与非结晶峰的分离
4　硅灰石晶体电子结构及介电性能第一性原理计算
　4.1　引言
　4.2　计算模型和方法
　　4.2.1　计算模型
　　4.2.2　计算方法
　4.3　计算结果与讨论
　　4.3.1　晶体结构
　　4.3.2　电子结构
　　4.3.3　Mulliken电荷分布
　　4.3.4　光学吸收
　　4.3.5　复介电函数
　　4.3.6　折射率
　4.4　小结
5　硅灰石介电机理
　5.1　引言
　5.2　硅灰石极化机制
　　5.2.1　电子位移极化率
　　5.2.2　离子位移极化率
　　5.2.3　热离子极化率
　5.3　硅灰石静态介电常数的计算
　　5.3.1　硅灰石光频介电常数的计算及修正
　　5.3.2　静态介电常数的计算及修正
　　5.3.3　静态介电常数温度系数
　5.4　交流介电常数
　　5.4.1　热离子活化能U和松弛时间γ
　　5.4.2　复介电常数的实部ε’和虚部ε”
　5.5　硅灰石介电损耗
6　硼酸钙、石英晶体和残余玻璃的介电性能
　6.1　硼酸钙晶体介电性能
　　6.1.1　硼酸钙晶体静态介电常数
　　6.1.2　硼酸钙晶体复介电常数
　　6.1.3　硼酸钙晶体的介电损耗
　6.2　石英晶体介电性能
　　6.2.1　石英晶体介电常数
　　6.2.2　石英晶体损耗
　6.3　无定形玻璃相的介电常数ε和介电损耗tanδ
7　硅灰石基LTCC材料的介电性能
　7.1　复合材料的介电性能计算理论
　7.2　硅灰石基LTCC材料的介电常数
参考文献
索引




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