晶体生长原理与技术 第2版
作者： 介万奇 编著
出版时间： 2019年版
内容简介
本书分4篇探讨晶体生长的原理与技术。第一篇为晶体生长的基本原理，分5章对晶体生长的热力学原理、动力学原理、界面过程、生长形态及晶体生长初期的形核相关原理进行论述。第二篇为晶体生长的技术基础，分3章进行晶体生长过程的涉及传输行为(传质、传热、对流)、化学基础问题(材料的提纯与合成问题)以及物理基础(电、磁、力的作用原理)的综合分析。第三篇为晶体生长技术，分4章分别对以Bridgman法为主的熔体法晶体生长、以Czochralski方法为主的熔体法晶体生长、溶液法晶体生长以及气相晶体生长技术与**发展进行介绍。第四篇分2章分别对晶体生长过程中缺陷的形成与控制和晶体的结构与性能表征方法进行论述。
目录
第二版前言
第一版前言
第一篇 晶体生长的基本原理
第1章 导论
1.1 晶体的基本概念
1.1.1 晶体的结构特征
1.1.2 晶体结构与点阵
1.1.3 晶向与晶面
1.1.4 晶体的结构缺陷概述
1.2 晶体材料
1.2.1 常见晶体材料的晶体结构
1.2.2 按照功能分类的晶体材料
1.3 晶体生长技术的发展
1.4 晶体生长技术基础及其与其他学科的联系
参考文献
第2章 晶体生长的热力学原理
2.1 晶体生长过程的物相及其热力学描述
2.1.1 气体的结构及热力学描述
2.1.2 液体的结构及热力学描述
2.1.3 固体的结构及其热力学参数
2.1.4 相界面及其热力学分析
2.1.5 晶体生长的热力学条件
2.2 单质晶体生长热力学原理
2.2.1 单质晶体生长过程中的热力学条件
2.2.2 液相及气相生长的热力学条件及驱动力
2.2.3 固态再结晶的热力学条件
2.3 二元系的晶体生长热力学原理
2.3.1 二元合金中的化学位
2.3.2 液-固界面的平衡与溶质分凝
2.3.3 气-液及气-固平衡
2.4 多组元系晶体生长热力学分析
2.4.1 多元体系的自由能
2.4.2 多元系结晶过程的热力学平衡条件
2.4.3 相图计算技术的应用
2.5 化合物晶体生长热力学原理
2.5.1 化合物分解与合成过程的热力学分析
2.5.2 复杂二元及多元化合物体系的简化处理
2.5.3 化合物晶体非化学计量比的成分偏离与晶体结构缺陷
2.5.4 熔体中的短程序及缔合物
2.6 强磁场及高压环境对晶体生长热力学条件的影响
2.6.1 强磁场对晶体生长热力学平衡条件的影响
2.6.2 高压对晶体生长热力学平衡条件的影响
参考文献
第3章 晶体生长过程的形核原理
3.1 均质形核理论
3.1.1 熔体中的均质形核理论
3.1.2 气相与固相中的均质形核
3.1.3 均质形核理论的发展
3.2 异质形核
3.2.1 异质形核的基本原理
3.2.2 异质外延生长过程中的形核
3.3 多元多相合金结晶过程中的形核
3.3.1 多组元介质中的形核
3.3.2 多相形核过程的分析
3.4 特殊条件下的形核问题
3.4.1 溶液中的形核
3.4.2 电化学形核
3.4.3 超临界液体结晶过程中的形核
3.4.4 形核过程的实验观察与控制
参考文献
第4章 晶体生长的动力学原理
4.1 结晶界面的微观结构
4.1.1 结晶界面结构的经典模型
4.1.2 界面结构的Monte-Carlo（MC）模拟
4.2 结晶界面的原子迁移过程与生长速率
4.2.1 结晶界面上原沉积的途径与过程
4.2.2 连续生长过程的原子沉积动力学

第二篇 晶体生长的技术基础
第三篇 晶体生长技术
第四篇 晶体缺陷分析与性能表征



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