新型功能化低维材料的电子性质作者: 琚伟伟,李同伟 著 出版时间: 2016年版内容简介 本书是作者近年来在对新型低维材料的电子结构、磁特性及相变的研究基础上撰写而成的,系统地介绍了应力、吸附、掺杂等调控方法对几种典型低维材料的电子性质及磁性的影响。全书共8章,第1、2章介绍了相关材料的研究背景及理论方法,第3章介绍了磷烯在应力作用下电子结构的变化,第4、5章介绍了杂质原子吸附对硅烯电学和磁学性质的影响,第6~8章研究了不同种类的吸附物质对二硫化钼性质的影响。本书可供相关低维材料领域的科技工作者参考,也可作为高等院校相关专业的本科生和研究生的参考书。目录第1章 绪论/t11.1 石墨烯的研究进展/t11.1.1 石墨烯的诞生/t11.1.2 石墨烯的奇特电子结构/t11.1.3 石墨烯纳米带/t31.1.4 氢化石墨烯的电子性质/t51.2 二维过渡金属硫属化合物简介/t81.2.1 单层过渡金属硫属化合物(TMDs)的种类/t81.2.2 单层过渡金属硫属化合物(TMDs)的性质/t91.3 硅烯的研究进展/t101.4 磷烯的研究进展/t111.5 其他二维纳米材料/t121.5.1 二维氮化硼的基本性质/t121.5.2 氧化锌的基本性质/t13参考文献/t13第2章 理论方法/t192.1 能带理论的三大近似/t192.1.1 绝热近似/t192.1.2 单电子近似与密度泛函理论/t202.1.3 交换关联泛函的简化/t222.1.4 周期性势场近似及布洛赫定理/t232.2 势与波函数的处理/t242.2.1 平面波方法/t252.2.2 原子轨道线性组合法/t262.2.3 赝势方法/t272.2.4 投影缀加波法/t282.3 Kohn-Sham方程的自洽求解/t28参考文献/t29第3章 应力作用下多层磷烯的相变/t333.1 概述/t333.2 平面双轴应力对多层磷烯的影响/t343.2.1 计算方法和模型/t343.2.2 结果和讨论/t353.3 垂直压缩应力对多层磷烯的影响/t403.3.1 计算方法和模型/t403.3.2 结果和讨论/t40参考文献/t44第4章 吸附对硅烯电子性质的影响/t474.1 概述/t474.2 计算模型和方法/t484.3 不同浓度的吸附原子对硅烯的影响/t494.3.1 几何结构和稳定性/t494.3.2 电子结构和磁性/t504.3.3 轨道特征和杂化/t54参考文献/t56第5章 局部氢化硅烯中奇异的d0磁性/t615.1 概述/t615.2 计算模型和方法/t615.3 局部氢化硅烯的磁性及热稳定性/t635.3.1 奇异的d0磁性/t635.3.2 氢化硅烯的热稳定性/t675.3.3 关于氢化硅烯磁性的规律/t69参考文献/t69第6章 过渡金属原子的取代掺杂对单层MoS2性质的影响/t736.1 概述/t736.2 计算模型和方法/t746.3 TM-MoS2的性质研究/t756.4 O2吸附于TM-MoS2/t776.4.1 O2在Pt-、Pd-、Ni-MoS2表面的吸附/t786.4.2 O2在Ir-、Rh-、Co-MoS2表面的吸附/t806.4.3 O2在Au-、Ru-MoS2表面的吸附/t82参考文献/t83第7章 CO和NO吸附对金属元素掺杂的单层MoS2电子性质的影响/t897.1 概述/t897.2 计算模型和方法/t907.3 CO和NO吸附于金属掺杂的单层MoS2表面/t907.3.1 CO的吸附/t907.3.2 NO的吸附/t94参考文献/t97第8章 基于单层MoS2的甲醛气体检测器/t1018.1 概述/t1018.2 计算模型和方法/t1028.3 Cl、P和Si原子掺杂的单层MoS2的性质研究/t1028.4 甲醛分子在MoS2表面的吸附/t1048.4.1 甲醛分子在纯净MoS2及Cl-MoS2表面的吸附/t1048.4.2 甲醛分子在P-MoS2表面的吸附/t1068.4.3 甲醛分子在Si-MoS2表面的吸附/t108参考文献/t110 上一篇: 先进复合材料技术丛书 先进复合材料的保养和维修 第2版 (英)基思.B.阿姆斯特朗 等著 2017年版 下一篇: 新型功能材料制备技术与分析表征方法 强亮生 等著 2017年版