半导体器件原理简明教程出版时间：2010年版内容简介 《半导体器件原理简明教程》力图用最简明、准确的语言，介绍典型半导体器件的核心知识，主要包括半导体物理基础、pn结、双极型晶体管、场效应晶体管、金属-半导体接触和异质结、半导体光电子器件。《半导体器件原理简明教程》在阐明基本结构和工作原理的基础上，还介绍了微电子领域的一些新技术，如应变异质结、能带工程、量子阱激光器等。《半导体器件原理简明教程》可作为高等院校电子信息与电气学科相关专业半导体器件原理课程的教材，也可供有关科研人员和工程技术人员参考。目录丛书序序言前言主要符号表第1章 半导体物理基础1.1 晶体结构1.1.1 基元、点阵和晶格1.1.2 原胞、基矢、晶向和晶面1.1.3 倒格子和倒格子空间1.2 能带结构1.2.1 能带的形成1.2.2 锗、硅和砷化镓的能带结构1.2.3 绝缘体、半导体和导体1.2.4 本征半导体、半导体中的载流子、空穴1.3 半导体中载流子的统计分布1.3.1 状态密度1.3.2 费米统计律和费米分布1.3.3 电子浓度、空穴浓度、玻尔兹曼分布和本征载流子浓度1.3.4 杂质半导体中的电子和空穴浓度、费米能级1.3.5 平衡态系统的费米能级1.4 载流子的漂移运动1.4.1 散射与有效质量1.4.2 迁移率1.4.3 电导率、电阻率、欧姆定律和薄层电阻1.5 载流子的扩散运动1.5.1 扩散电流密度1.5.2 电流密度方程1.5.3 杂质浓度梯度及其感生电场1.6 非平衡载流子1.6.1 载流子的产生与复合、非平衡载流子1.6.2 非平衡载流子的复合、非平衡载流子寿命1.6.3 间接复合理论1.6.4 准费米能级1.6.5 连续性方程1.7 半导体基本方程1.7.1 基本方程1.7.2 泊松方程习题第2章 pn结2.1 pn结的形成及其基本特性2.2 pn结空间电荷区基本特性的进一步讨论2.2.1 平衡pn结的能带结构和载流子分布2.2.2 非平衡pn结的能带结构和载流子分布2.2.3 pn结的电场和电势分布2.3 pn结的直流特性2.3.1 非平衡pn结扩散区的载流子分布和扩散电流2.3.2 pn结的势垒复合电流和产生电流2.3.3 正偏pn结的大注入效应2.4 pn结的耗尽层电容2.5 pn结的小信号交流特性2.5.1 pn结的扩散电容2.5.2 pn结的交流参数和等效电路2.6 pn结的开关特性2.7 pn结的击穿2.7.1 击穿机理概述2.7.2 雪崩击穿条件2.7.3 雪崩击穿电压的计算习题第3章 双极型晶体管3.1 双极型晶体管的基本结构3.2 双极型晶体管内载流子的输运过程3.3 双极型晶体管的电流放大系数3.3.1 均匀基区晶体管电流增益因子的简化推导3.3.2 均匀基区晶体管电流增益因子的数学推导3.3.3 缓变基区晶体管的电流放大系数3.3.4 发射区重掺杂条件下的禁带变窄效应3.3.5 大注入效应3.4 晶体管的直流特性3.4.1 晶体管的电流电压方程3.4.2 晶体管的击穿电压3.4.3 纵向基区扩展效应3.4.4 发射极电流集边效应3.4.5 晶体管的安全工作区3.5 双极型晶体管的频率特性3.5.1 双极型晶体管频率特性概述3.5.2 延迟时间的计算 3.5.3 晶体管电流放大系数的频率特性 3.5.4 晶体管的高频等效电路和最高振荡频率3.6 双极型晶体管的开关特性3.6.1 晶体管工作区域的划分及其饱和工作状态3.6.2 晶体管的开关过程习题第4章 场效应晶体管4.1 结型场效应晶体管4.1.1 结型场效应晶体管的工作原理4.1.2 JFET的电流电压方程4.1.3 JFET的直流参数和频率参数4.1.4 JFET的短沟道效应4.2 绝缘栅场效应晶体管4.2.1 半导体表面的特性和理想M0s结构4.2.2 MOSFET结构及其工作原理4.2.3 MOSFET的阈值电压 4.2.4 MOSFET的电流电压关系4.2.5 MOSFET的亚阈区导电4.2.6 MOSFET的击穿电压 4.2.7 MOSFET的高频等效电路和频率特性 4.2.8 MOSFET的短沟道效应4.2.9 MOSFET阈值电压的调整4.2.10 MOSFET的缩比理论4.2.11 热电子效应和辐射效应 习题第5章 金属-半导体接触和异质结5.1 金属-半导体接触5.1.1 理想金属一半导体接触5.1.2 非理想效应5.1.3 金属-半导体接触的电流电压关系5.1.4 欧姆接触的实现方法5.2 异质结5.2.1 异质结半导体材料能带结构的对应关系5.2.2 异质结能带图的画法5.2.3 异质结的基本特性5.2.4 同型异质结5.3 应变异质结习题第6章 半导体光电子器件6.1 半导体的光吸收和发射6.1.1 光的基本性质6.1.2 光在半导体中的吸收6.1.3 半导体的光发射6.2 太阳能电池6.3 光探测器件6.4 发光二极管6.4.1 发光二极管基础6.4.2 能带工程6.5 半导体激光器件6.5.1 半导体激光器件基础6.5.2 量子阱激光器6.5.3 垂直腔面发射激光器习题附录附录A 物理常数附录B 晶体结构和晶格常数(A)附录C 重要半导体的基本性质附录D 硅、砷化镓和锗的重要性质附录E 二氧化硅和氮化硅的性质附录F 硅中的杂质能级附录G 砷化镓中的杂质能级参考文献 上一篇: 2011版全国大学生电子设计竞赛硬件电路设计精解 下一篇: 电路分析与应用基础 2011年版
