半导体器件物理学习与考研指导出版时间：2010年版丛编项： 普通高等教育电子科学与技术类特色专业系列规划教材内容简介 《半导体器件物理学习与考研指导》是普通高等教育“十一五”国家级规划教材《半导体器件物理（第二版）》（孟庆巨、刘海波、孟庆辉等编著）的配套教学辅导资料。全书共分为11章，内容包括：半导体物理基础、PN结、双极结型晶体管、金属一半导体结、结型场效应晶体管和金属一半导体场效应晶体管、金属一氧化物一半导体场效应晶体管、电荷转移器件、半导体太阳电池和光电二极管、发光二极管和半导体激光器。书末还给出了近几年吉林大学“微电子学与固体电子学”国家重点学科研究生入学考试试题及参考答案。《半导体器件物理学习与考研指导》可供电子科学与技术、微电子学、光电子技术等专业师生在半导体器件物理课程的教学中使用，也可供有关工程技术人员和科研工作者参考。目录丛书序前言第1章 半导体物理基础1.1 知识点归纳1.载流子的统计分布2.电荷输运现象3.非均匀半导体中的内建场4.准费米能级5.复合机制6.表面复合和表面复合速度7.半导体中的基本控制方程1.2 习题解答第2章 PN结2.1 知识点归纳1.热平衡PN结2.偏压的PN结3.理想PN结二极管的直流电流电压特性4.空间电荷区复合电流和产生电流5.隧道电流6.温度对PN结I-V特性的影响7.耗尽层电容、求杂质分布和变容二极管8.PN结二极管的频率特性9.PN结二极管的开关特性10.PN结击穿2.2 基本概念与问题2.3 理论推导与命题证明2.4 图表解析与应用2.5 习题解答第3章 双极结型晶体管3.1 知识点归纳1.基本工作原理（以NPN型为例）2.理想双极结型晶体管中的电流传输3.埃伯斯一莫尔（Ebers—Moll）方程4.缓变基区晶体管（Gummel-Poon模型）5.基区扩展电阻和电流集聚效应6.基区宽度调变效应7.晶体管的频率响应8.混接兀模型等效电路9.晶体管的开关特性10.反向电流和击穿电压3.2 基本概念与问题3.3 理论推导与命题证明3.4 图表解析与应用3.5 习题解答第4章 金属一半导体结4.1知识点归纳1.肖特基势垒2.界面态对势垒高度的影响3.镜像力对势垒高度的影响4.肖特基势垒二极管的电流一电压特性5.金属_绝缘体半导体肖特基二极管6.肖特基势垒二极管和PN结二极管之间的比较7.欧姆接触——非整流的M-S结4.2 基本概念与问题4.3 理论推导与命题证明4.4 图表解析与应用4.5 习题解答第5章 结型场效应晶体管和金属一半导体场效应晶体管5.1 知识点归纳1.理想JFET的I-V特性2.静态特性3.小信号参数和等效电路4.JFET的最高工作频率5.沟道长度调制效应6.金属半导体场效应晶体管7.JFET和MESFET的类型5.2 基本概念与问题5.3 理论推导与命题证明5.4 图表解析与应用5.5 习题解答第6章 金属一氧化物一半导体场效应晶体管6.1 知识点归纳1.理想MOS结构的表面空间电荷区2.理想MOS电容器3.沟道电导与阈值电压4.实际MOS的电容一电压特性和阈值电压5.MOS场效应晶体管的I-V特性6.等效电路和频率响应7.MOS场效应晶体管的类型8.亚阈值区9.影响阈值电压的其余因素10.器件的小型化6.2 基本概念与问题6.3 理论推导与命题证明6.4 图表解析与应用6.5 习题解答第7章 电荷转移器件7.1 知识点归纳1.深耗尽状态和表面势阱2.MOS电容的瞬态特性3.信息电荷的输运、传输效率4.埋沟CCD(BCCD)5.信息电荷的注入和检测6.集成斗链器件7.电荷耦合图像器7.2 基本概念与问题7.3 理论推导与命题证明7.4 图表解析与应用7.5 习题解答第8章 半导体太阳电池和光电二极管8.1 知识点归纳1.PN结的光生伏打效应2.太阳电池的I-V特性3.太阳电池的效率4.光产生电流与收集效率5.提高太阳电池效率的措施6.肖特基势垒和MIS太阳电池7.光电二极管8.PIN光电二极管9.光电二极管的特性参数8.2 基本概念与问题8.3 理论推导与命题证明8.4 图表解析与应用8.5 习题解答第9章 发光二极管和半导体激光器9.1 知识点归纳1.辐射复合与非辐射复合2.LED的基本结构和工作原理3.LED的特性参数4.几类重要的LED9.2 基本概念与问题9.3 理论推导与命题证明9.4 图表解析与应用9.5 习题解答第10章 吉林大学硕士研究生入学考试“半导体器件物理”试题2006年试题2007年试题2008年试题2009年试题第11章 吉林大学硕士研究生入学考试“半导体器件物理”试题参考答案2006年试题参考答案2007年试题参考答案2008年试题参考答案2009年试题参考答案 上一篇: 电路原理试题库与题解 下一篇: 电路分析基础 [熊年禄著] 2010年版
