先进焦平面技术导论出版时间:2011年版内容简介 《先进焦平面技术导论》以先进焦平面技术为主线,在扼要概括国内外研究历程和技术发展趋势的基础上,着重介绍了作者近年对双色或双谱段红外焦平面芯片的数值设计、硅基碲镉汞和铝镓氮多层材料的生长工艺技术、碲镉汞红外双色和铝镓氮紫外焦平面芯片加工技术、双色焦平面多输入级和数字传输读出电路的设计技术、信号光输出方法以及芯片级非均匀性校正、数据融合算法和实现方法的最新研究结果。《先进焦平面技术导论》适合从事红外、紫外光电探测器以及系统应用技术,数据处理、融合技术的科研人员、大专院校研究生,作为深入了解本领域的专业基础内容、技术现状和发展趋势的阅读参考。目录第1章 先进焦平面技术的基本内涵1.1 红外成像探测器历史沿革和发展趋势1.2 先进焦平面技术框架1.2.1 先进焦平面技术内涵1.2.2 通过提高空间分辨率和探测灵敏度提高目标探测和识别距离1.2.3 通过多色、多谱段集成探测手段提高目标识别距离1.2.4 通过光信号传输、数字处理芯片手段提高集成化、智能化水平本章小结参考文献第2章 碲镉汞红外探测器数值设计方法2.1 概述2.2 碲镉汞红外探测器数值模拟和设计2.2.1 碲镉汞探测器基础2.2.2 碲镉汞红外探测器数值计算2.3 碲镉汞材料、芯片参数提取方法2.3.1 碲镉汞材料参数提取2.3.2 基于电学方法的碲镉汞芯片参数提取2.3.3 基于光电方法的碲镉汞芯片参数提取本章小结参考文献第3章 硅基碲化镉复合衬底技术以及碲镉汞外延技术3.1 概述3.2 硅基碲镉汞外延的若干基础模型3.2.1 硅基表面选择性生长的物理模型(表面As钝化的机理)3.2.2 硅基znTe/CdTe外延的原子分布模型3.2.3 碲镉汞材料中的As?质形态3.2.4 p型掺杂的两性行为3.3 硅基碲镉汞分子束外延技术3.3.1 硅基ZnTe/CdTe缓冲层的分子束外延技术3.3.2 大面积硅基碲镉汞分子束外延技术3.3.3 碲镉汞分子束外延掺杂技术3.4 硅基碲镉汞液相外延技术3.4.1 硅基cdR复合衬底的表面处理技术3.4.2 液相外延工艺的调整3.4.3 碲镉汞液相外延材料的基本性能3.4.4 存在问题及分析3.5 硅基碲镉汞材料的热应力分析3.5.1 硅基碲镉汞材料光谱特性的测量3.5.2 多层结构材料应力状态的理论分析本章小结参考文献第4章 铝镓氦外延技术4.1 概述4.2 氮化镓基材料的基本性质以及主要制备基础4.2.1 氮化镓基材料的基本性质以及在紫外探测器中的应用4.2.2 MOCVD外延生长系统以及在位监测方法4.3 铝镓氮材料MOCVD外延生长技术4.3.1 GaN缓冲层上的铝镓氮外延技术4.3.2 AlN缓冲层以及铝镓氮外延技术4.3.3 氮化镓材料的p型掺杂技术4.4 铝镓氮材料综合性能分析4.4.1 位错对GaN材料的光学、电学性质的影响4.4.2 AlGaN?料的Al组分测量与应变状态确定4.4.3 高Al组分AlGaN材料的组分均匀性4.4.4 A1GaN材料的氧化现象本章小结参考文献第5章 碲镉汞探测器芯片技术5.1 概述5.2 碲镉汞探测器芯片加工技术5.2.1 碲镉汞微台面列阵隔离技术5.2.2 微台面光刻技术5.2.3 微台面列阵的高质量侧壁钝化技术5.2.4 微台面列阵的金属化技术5.2.5 微台面列阵的铟柱制备与混成互连技术 5.3 双色微台面探测芯片5.3.1 双色探测芯片结构的选型5.3.2 双色碲镉汞微台面探测器的制备5.4 硅基碲镉汞加工工艺技术5.4.1 硅基碲镉汞应力分析以及结构设计5.4.2 硅基碲镉汞3英寸晶圆的应力芯片低损伤加工技术本章小结参考文献第6章 铝镓氨焦平面探测器芯片技术6.1 概述6.2 铝镓氮p—i—n型日盲紫外探测器的响应模型及设计6.2.1 AlGaN薄膜材料的材料参数6.2.2 AlGaN异质结p—i—n探测器的响应模型及设计6.3 铝镓氮共振增强型紫外探测器6.3.1 共振增强型紫外探测器的基本结构6.3.2 共振增强型紫外探测器的设计与实验6.4 铝镓氮探测器芯片加工技术6.4.1 微台面形成技术6.4.2 芯片的钝化6.4.3 欧姆接触技术6.5 铝镓氮探测器的辐照效应6.5.1 质子辐照效应6.5.2 电子辐照效应6.5.3 叫辐照效应6.5.4 GaN基紫外探测器的抗辐照研究6.6 紫外焦平面组件的成像?其应用6.6.1 对氢氧焰灼烧的石英管的成像6.6.2 对上海市区某轻轨和高架路的可见盲紫外图像6.6.3 对室外远景物体的成像6.6.4 海洋溢油的航空紫外图像本章小结参考文献第7章 读出电路及焦平面测试技术7.1 概述7.2 读出电路基本概念和发展趋势7.3 双色读出电路技术7.3.1 常见的双色信号读出电路结构7.3.2 同时模式双色信号读出电路实现7.3.3 红外双色读出电路和紫外读出电路设计示例7.4 数字传输芯片技术7.4.1 焦平面数字化的框架7.4.2 焦平面片上ADC电路算法7.4.3 焦平面片上ADC电路设计实现7.5 焦平面测试技术7.5.1 红外焦平面参数测试7.5.2 紫外焦平面参数测试本章小结参考文献第8章 系统级芯片技术8.1 概述8.2 系统级封装的基本概念以及技术趋势8.2.1 SiP技术8.2.2 系统芯片的片上智能实时处理系统的实现途径8.3 焦平面数据无线光输出的基本概念与实现方法8.3.1 焦平面无线光输出的基本概念8.3.2 光输出方法概述8.3.3 串行红外数据通信技术8.4 焦平面非均匀性校正及其算法实现8.4.1 焦平面非均匀性校正的概述8.4.2 基于定标的焦平面非均匀性校正算法8.4.3 基于场景的焦平面非均匀性校正算法8.5 多波段数据融合的基本概念与算法实现8.5.1 多波段数据融合概述8.5.2 多波段图像融合先进算法8.5.3 基于DsP的多波段数据融合算法的实现8.5.4 基于FPGA的多波段数据融合算法的实时实现本章小结参考文献 上一篇: 新编电子设计自动化项目教程 下一篇: 超大规模集成电路设计导论 2010年版