半导体材料研究进展
作　者： 王占国，郑有炓 等编著
出版时间： 2012
内容简介
　　《半导体材料研究进展（第1卷）》首先回顾了半导体材料的发展史，简述了半导体材料的生长机理和现代半导体材料制备与表征新技术；然后对元素半导体锗、硅单晶材料以及硅基异质结构材料的制备、物性及其在微电子、光伏电池和光电集成方面的应用做了概述；接着介绍以GaAs、InP为代表的Ⅲ-V族化食物单晶衬底材料、趣晶格量子阱、量子线和量子点材料及应用，宽禁带GaN基Ⅲ族氮化物异质结构材料和SiC单aaa、外延材料及其相关器件应用；进而重点描述近年来得到迅速发展的以Zn0为代表的II-VI族半导体材料的研究现状与发展趋势；最后分别介绍HgCdTe等半导体红外探测材料和金刚石与立方氮化硼半导体材料的最新研究进展。《半导体材料研究进展（第1卷）》可作为高等院校、科研院所从事电子科学与技术、微电子和光电子学、电子工程与材料科学等专业的研究生和科研工作者的参考读物。
目录
第一章　绪论
1.1　半导体材料发展简史
1.2　半导体材料功能结构的演进
1.2.1　半导体三维结构材料
1.2.2　半导体低维结构材料
1.3　半导体材料生长动力学模式
1.3.1　半导体材料生长方法概述
1.3.2　块状半导体晶体生长动力学
1.3.3　半导体异质结构材料外延生长动力学
1.3.4　半导体纳米材料的气-液-固（VLS）反应生长动力学
1.4　碳基材料——石墨烯与碳纳米管
1.4.1　石墨烯
1.4.2　碳纳米管
参考文献

第二章　现代半导体材料制备和表征技术
2.1　现代半导体材料制备技术
2.1.1　引言
2.1.2　分子束外延技术
2.1.3　金属有机气相外延技术
2.1.4　其他外延生长技术
2.2　现代半导体材料表征技术
2.2.1　引言
2.2.2　扫描探针显微技术
2.2.3　反射差分谱
2.2.4　扫描近场光学显微镜
参考文献

第三章　元素半导体材料锗和硅
3.1　锗的制备技术和应用进展
3.1.1　锗的研究和应用
3.1.2　锗的基本性质
3.1.3　金属锗的制备
3.1.4　高纯锗的制备
3.1.5　锗单晶的制备
3.2　高纯多晶硅的制备技术
3.2.1　硅的基本性质和应用
3.2.2　金属硅的制备技术
3.2.3　化学法制备多晶硅技术
3.2.4　物理冶金法制备多晶硅技术
3.3　微电子硅材料进展
3.3.1　微电子硅材料的研究和应用
3.3.2　大直径硅晶体的生长和加工
3.3.3　晶体硅的缺陷工程和杂质工程
3.3.4　外延硅薄膜的生长
3.3.5　新型硅基薄膜
3.3.6　纳米硅制备及其在纳电子的应用
3.3.7　硅基发光和硅基光电子
3.4　太阳能硅材料进展
3.4.1　太阳能硅材料的研究及应用
3.4.2　直拉硅单晶的生长和加工
3.4.3　铸造多晶硅的生长和加工
3.4.4　非晶硅薄膜的进展
3.4.5　带硅的应用和进展
3.4.6　纳米硅太阳能电池的应用
参考文献

第四章　硅基异质结构材料
4.1　引言
4.2　硅基Ⅳ族异质结构材料
4.2.1　SiGe合金材料
4.2.2　自组装Ge量子点材料
4.2.3　硅基Ge材料
……
第五章　Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料
第六章　m族氮化物半导体材料
第七章　SiC半导体材料
第八章　Ⅱ一Ⅵ族半导体材料
第九章　红外半导体材料
第十章　半导体金刚石和立方氮化硼材料
参考文献




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