国外电子与通信教材系列 CMOS数字集成电路 分析与设计 第4版 作者：（美）康松默著出版时间： 2015年版内容简介 全书详细讲述了CMOS数字集成电路的相关内容，在第三版的基础上增加了新的内容和章节，提供了反映现代技术发展水平和电路设计的最新资料。全书共15章。第1章至第8章详细讨论MOS晶体管的相关特性和工作原理、基本反相器电路设计、组合逻辑电路及时序逻辑电路的结构与工作原理；第9章至第13章主要介绍应用于先进VLSI芯片设计的动态逻辑电路、先进的半导体存储电路、低功耗CMOS逻辑电路、数字运算和转换电路、芯片的I/O设计；第14章和第15章分别讨论电路的可制造性设计和可测试性设计这两个重要问题。目录第1章 概论1.1 发展历史1.2 本书的目标和结构1.3 电路设计举例1.4 VLSI设计方法综述1.5 VLSI设计流程1.6 设计分层1.7 规范化、模块化和本地化的概念1.8 VLSI的设计风格1.9 设计质量1.10 封装技术1.11 计算机辅助设计技术习题第2章 MOS场效应管的制造2.1 概述2.2 制造工艺的基本步骤2.3 CMOS n阱工艺2.4 CMOS技术的发展2.5 版图设计规则2.6 全定制掩膜版图设计习题第3章 MOS晶体管3.1 金属-氧化物-半导体(MOS)结构3.2 外部偏置下的MOS系统3.3 MOS场效应管(MOSFET)的结构和作用3.4 MOSFET的电流-电压特性3.5 MOSFET的收缩和小尺寸效应3.6 MOSFET电容习题第4章 用SPICE进行MOS管建模4.1 概述4.2 基本概念4.3 一级模型方程4.4 二级模型方程4.5 三级模型方程4.6 先进的MOSFET模型4.7 电容模型4.8 SPICE MOSFET模型的比较附录 典型SPICE模型参数习题第5章 MOS反相器的静态特性5.1 概述5.2 电阻负载型反相器5.3 MOSFET负载反相器5.4 CMOS反相器附录 小尺寸器件CMOS反相器的尺寸设计趋势习题第6章 MOS反相器的开关特性和体效应6.1 概述6.2 延迟时间的定义6.3 延迟时间的计算6.4 延迟限制下的反相器设计6.5 互连线电容的估算6.6 互连线延迟的计算6.7 CMOS反相器的开关功耗附录 超级缓冲器的设计习题第7章 组合MOS逻辑电路7.1 概述7.2 带伪nMOS(pMOS)负载的MOS逻辑电路7.3 CMOS逻辑电路7.4 复杂逻辑电路7.5 CMOS传输门习题第8章 时序MOS逻辑电路8.1 概述8.2 双稳态元件的特性8.3 SR锁存电路8.4 钟控锁存器和触发器电路8.5 钟控存储器的时间相关参数8.6 CMOS的D锁存器和边沿触发器8.7 基于脉冲锁存器的钟控存储器8.8 基于读出放大器的触发器8.9 时钟存储器件中的逻辑嵌入8.10 时钟系统的能耗及其节能措施附录习题第9章 动态逻辑电路9.1 概述9.2 传输晶体管电路的基本原理9.3 电压自举技术9.4 同步动态电路技术9.5 动态CMOS电路技术9.6 高性能动态逻辑CMOS电路习题第10章 半导体存储器10.1 概述10.2 动态随机存储器(DRAM)10.3 静态随机存储器(SRAM)10.4 非易失存储器10.5 闪存10.6 铁电随机存储器(FRAM)习题第11章 低功耗CMOS逻辑电路11.1 概述11.2 功耗综述11.3 电压按比例降低的低功率设计11.4 开关激活率的估算和优化11.5 减小开关电容11.6 绝热逻辑电路习题第12章 算术组合模块12.1 概述12.2 加法器12.3 乘法器12.4 移位器习题第13章 时钟电路与输入/输出电路13.1 概述13.2 静电放电(ESD)保护13.3 输入电路13.4 输出电路和L(di/dt)噪声13.5 片内时钟生成和分配13.6 闩锁现象及其预防措施附录 片上网络：下一代片上系统(SoC)的新模式习题第14章 产品化设计14.1 概述14.2 工艺变化14.3 基本概念和定义14.4 实验设计与性能建模14.5 参数成品率的评估14.6 参数成品率的最大值14.7 最坏情况分析14.8 性能参数变化的最小化习题第15章 可测试性设计15.1 概述15.2 故障类型和模型15.3 可控性和可观察性15.4 专用可测试性设计技术15.5 基于扫描的技术15.6 内建自测(BIST)技术15.7 电流监控IDDQ检测习题参考文献物理和材料常数公式 上一篇: CMOS射频集成电路设计 段吉海编著 2019年版 下一篇: CMOS模拟IP线性集成电路 吴金，姚建楠，常昌远编著 2007年版
