国外电子与通信教材系列 半导体物理与器件 第4版 作者：（美）DonaldA.Neamen（唐纳德A.尼曼）著出版时间：2018年版内容简介本书是微电子技术领域的基础教程。全书涵盖了量子力学、固体物理、半导体材料物理及半导体器件物理等内容，分成三部分，共计15章。*部分为半导体材料属性，主要讨论固体晶格结构、量子力学、固体量子理论、平衡半导体、输运现象、半导体中的非平衡过剩载流子；第二部分为半导体器件基础，主要讨论pn结、pn结二极管、金属半导体和半导体异质结、金属氧化物半导体场效应晶体管、双极晶体管、结型场效应晶体管；第三部分为专用半导体器件，主要介绍光器件、半导体微波器件和功率器件等。书中既讲述了半导体基础知识，也分析讨论了小尺寸器件物理问题，具有一定的深度和广度。另外，全书各章难点之后均列有例题、自测题，每章末尾均安排有复习要点、重要术语解释及知识点。全书各章末尾列有习题和参考文献，书后附有部分习题答案。目 录绪论 半导体和集成电路历史集成电路（IC）制造参考文献部分 半导体材料属性第1章 固体晶格结构1.0 概述1.1 半导体材料1.2 固体类型1.3 空间晶格1.4 金刚石结构1.5 原子价键*1.6 固体中的缺陷和杂质*1.7 半导体材料的生长1.8 小结重要术语解释知识点复习题习题参考文献第2章 量子力学初步2.0 概述2.1 量子力学的基本原理2.2 薛定谔波动方程2.3 薛定谔波动方程的应用2.4 原子波动理论的延伸2.5 小结重要术语解释知识点复习题习题参考文献第3章 固体量子理论初步3.0 概述3.1 允带与禁带3.2 固体中电的传导3.3 三维扩展3.4 状态密度函数3.5 统计力学3.6 小结重要术语解释知识点复习题习题参考文献第4章 平衡半导体4.0 概述4.1 半导体中的载流子4.2 掺杂原子与能级4.3 非本征半导体4.4 施主和受主的统计学分布4.5 电中性状态4.6 费米能级的位置4.7 小结重要术语解释知识点复习题习题参考文献第5章 载流子输运现象5.0 概述5.1 载流子的漂移运动5.2 载流子扩散5.3 杂质梯度分布*5.4 霍尔效应5.5 小结重要术语解释知识点复习题习题参考文献第6章 半导体中的非平衡过剩载流子6.0 概述6.1 载流子的产生与复合6.2 过剩载流子的性质6.3 双极输运6.4 准费米能级*6.5 过剩载流子的寿命*6.6 表面效应6.7 小结重要术语解释知识点复习题习题参考文献第二部分 半导体器件基础第7章 pn结7.0 概述7.1 pn结的基本结构7.2 零偏7.3 反偏7.4 结击穿*7.5 非均匀掺杂pn结7.6 小结重要术语解释知识点复习题习题参考文献第8章 pn结二极管8.0 概述8.1 pn结电流8.2 产生复合电流和大注入8.3 pn结的小信号模型*8.4 电荷存储与二极管瞬态*8.5 隧道二极管8.6 小结重要术语解释知识点复习题习题参考文献第9章 金属半导体和半导体异质结9.0 概述9.1 肖特基势垒二极管9.2 金属半导体的欧姆接触9.3 异质结9.4 小结重要术语解释知识点复习题习题参考文献第10章 金属氧化物半导体场效应晶体管基础10.0 概述10.1 双端MOS结构10.2 电容电压特性10.3 MOSFET基本工作原理10.4 频率限制特性*10.5 CMOS技术10.6 小结重要术语解释知识点复习题习题参考文献第11章 金属氧化物半导体场效应晶体管： 概念的深入11.0 概述11.1 非理想效应11.2 MOSFET按比例缩小理论11.3 阈值电压的修正11.4 附加电学特性*11.5 辐射和热电子效应11.6 小结重要术语解释知识点复习题习题参考文献第12章 双极晶体管12.0 概述12.1 双极晶体管的工作原理12.2 少子的分布12.3 低频共基极电流增益12.4 非理想效应12.5 等效电路模型12.6 频率上限12.7 大信号开关*12.8 其他的双极晶体管结构12.9 小结重要术语解释知识点复习题习题参考文献第13章 结型场效应晶体管13.0 概述13.1 JFET概念13.2 器件的特性*13.3 非理想因素*13.4 等效电路和频率限制*13.5 高电子迁移率晶体管13.6 小结重要术语解释知识点复习题 上一篇: 高等职业教育电子信息类专业规划教材·项目导向系列 数字电路仿真项目教程 过玉清 主编 2012 下一篇: 国内外经典教材辅导系列 邱关源《电路（第5版）》笔记和课后习题（含考研真题）详解 圣才考研网 主编
