摘要:以辛酰氯和r一氨丙基三乙氧基硅烷为原料合成了辛酰基氨丙基三乙氧基硅烷,并用IR进行了表征。以辛酰基氨丙基三乙氧基硅烷为单体进行部分水解缩聚,其部分水解予聚物可作为电子原器件的抗蚀涂层。 上一篇: 消泡剂PGA的研制与应用 下一篇: 新型Si-C-N基陶瓷前驱体的合成及其热解