您当前的位置:首页 > T/ZJATA 0017-2023 制备碳化硅半导体材料用化学气相沉积法(CVD)外延设备 > 下载地址2
T/ZJATA 0017-2023 制备碳化硅半导体材料用化学气相沉积法(CVD)外延设备
- 名 称:T/ZJATA 0017-2023 制备碳化硅半导体材料用化学气相沉积法(CVD)外延设备 - 下载地址2
- 类 别:综合团体标准
- 下载地址:[下载地址2]
- 提 取 码:
- 浏览次数:3
新闻评论(共有 0 条评论) |
资料介绍
本文件规定了制备碳化硅半导体材料用化学气相沉积法(CVD)外延设备(以下简称碳化硅外延设备)的产品分类、标记、组成及基本参数、工作条件、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输与贮存、质量承诺。
本文件适用于采用化学气相沉积法(CVD)技术加工100 mm(4英寸)、150 mm (6英寸)和200 mm(8英寸)Sic晶片的碳化硅外延设备。
本文件适用于采用化学气相沉积法(CVD)技术加工100 mm(4英寸)、150 mm (6英寸)和200 mm(8英寸)Sic晶片的碳化硅外延设备。
相关推荐
- T∕CFA 030501-2020 铸造企业生产能力核算方法
- T∕CACM 1020.7-2019 道地药材 第7部分:浙白术
- T/CSIA 011-2022 建设工程项目复工安全风险评估指南
- T/ZZB 0406-2018 蒸发冷却式冷水(热泵)一体化机组
- T∕ZZB 1991-2020 一次性使用呼吸过滤器
- T∕CACM 1021.159-2018 中药材商品规格等级 鱼腥草
- T∕CACM 1020.117-2019 道地药材 第117部分:海南沉香
- T∕ZZB 2767-2022 喷油螺杆式空气压缩机油
- T∕CPIA 0030.2-2021 晶体硅光伏电池用浆料 第2部分:背面银浆 烧结型银浆
- T∕CACM 1100-2018 中医治未病技术操作规范 六步奶结疏通法干预乳症