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T/CASAS 013-2021 碳化硅晶片位错密度检测方法 KOH腐蚀结合图像识别法
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资料介绍
本本件规定了用化学择优腐蚀结合图像识别法检测碳化硅晶片中位错密度的方法。
本文件适用于4H及6H-SiC晶片材料中Si面位错检测及其密度统计，材料表面为化学机械抛光状态。
本文件适用于4H及6H-SiC晶片材料中Si面位错检测及其密度统计，材料表面为化学机械抛光状态。
