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T/CASAS 015-2022 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）功率循环试验方法
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资料介绍
本文件规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）功率循环试验方法，包括：试验装置、试验程序以及失效判据。
本文件适用于不带反向并联肖特基二极管的SiC MOSFET分立器件的功率循环试验。
本文件适用于不带反向并联肖特基二极管的SiC MOSFET分立器件的功率循环试验。
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