功率半导体器件电场优化技术

功率半导体器件电场优化技术
出版时间： 2015

内容简介
　　《功率半导体器件电场优化技术》以2010年国家科技进步二等奖的研究成果“新型功率半导体器件体内场关键技术与应用”为基础，针对功率器件耐压低的瓶颈问题，全面阐述了编者及其科研团队在功率半导体器件研究中所取得的创新性成果，重点阐述了SOI基高压器件介质场增强理论与技术、硅基高压器件体内场降低理论与技术，并介绍研发的系列新型功率半导体器件产品。
目录
"第一章 功率半导体器件的耐压基本技术 1.1 概述 1.1.1 功率半导体器件的击穿电压 1.1.2 结终端技术 1.1.3 RESURF技术 1.2 平面终端技术 1.2.1 结击穿与曲率效应 1.2.2 场板技术 1.2.3 场限环技术 1.2.4 结终端扩展技术 1.2.5 磨角终端技术 1.2.6 复合终端技术 1.3 衬底终端技术 1.3.1 衬底终端(STT)的基本结构 1.3.2 STT的机理 1.3.3 STT的典型结构和特性 1.4 纵向终端技术 1.4.1 体内附加场 1.4.2 沟槽终端技术 1.4.3 纵向场板技术 1.4.4 纵向JTE (VJTE)技术 1.5 RESURF技术 1.5.1 体硅RESURF技术 1.5.2 SOI RESURF技术 1.5.3 SR、DR及TR的统一纵向耐压模型 1.5.4 MR条件和耐压模型 第二章 超结器件 2.1 概述 2.1.1 功率半导体器件的基本特性 2.1.2 耐压层的作用基础与分析方法 2.1.3 VDMOS和IGBT 2.1.4 超结器件的问世 2.2 超结器件原理 2.2.1 超结概念与电荷场 2.2.2 超结电场的二维性 2.2.3 超结等势关系 2.2.4 超结的耐压归一化 2.2.5 超结全耗尽与非全耗尽耐压模式 2.2.6 超结临界场增强 2.3 超结器件的基本特性 2.3.1 杂质密度Dc 2.3.2 超结器件的耐压与导通电阻关系 2.3.3 超结器件电荷非平衡 2.3.4 超结器件的I-V特性和安全工作区 2.3.5 超结器件瞬态特性 2.4 横向超结器件 2.4.1 泊松方程解与特征厚度 2.4.2 衬底辅助耗尽效应 2.4.3 等效衬底(ES)模型［41］ 2.4.4 横向超结器件的典型结构 2.5 典型的超结器件 2.5.1 超结IGBT 2.5.2 部分超结结构 2.5.3 超结肖特基器件 2.5.4 高K耐压层结构 2.5.5 介质电荷薄层超结结构 2.6 超结制作技术 第三章 介质场增强技术及其SOI横向高压器件 3.1 SOI技术概述 3.2 SOI高压器件和模型 3.2.1 SOI高压器件 3.2.2 SOI高压器件解析模型 3.3 SOI高压器件介质场增强技术 3.3.1 SOI高压器件介质场增强理论分析 3.3.2 介质场增强模型与技术 3.4 电荷型SOI高压器件 3.4.1 具有双面电荷槽的新型700V SOI LDMOS 3.4.2 部分SOI的新型高压（＞1200V）电荷槽型MOSFET 3.4.3 新型薄膜双面阶梯埋氧层功率MOSFET 3.4.3 具有消除背栅偏置效应的新型高压SOI器件 3.4.5 界面固定电荷SOI高压器件新结构和耐压模型 3.5 低k型介质埋层SOI高压器件 3.5.1 变k介质埋层SOI高压器件与解析模型 3.5.2 低k介质埋层PSOI高压器件 3.6 薄膜SOI高压器件 3.6.1 薄硅层临界电场模型与阈值能量模型 3.6.2 薄膜SOI高压器件及耐压模型［81］ 3.6.3 薄膜SOI阶梯漂移区LDMOS新结构及耐压模型［82］ 第四章 REBULF技术 4.1 REBULF技术 4.2 REBULF LDMOS结构与耐压分析 4.3 部分浮空层REBULF LDMOS 4.4 多浮空层REBULF LDMOS 4.5 超结REBULF MOSFET 4.6 部分浮空层超结 MOSFET理论分析和工艺实现 第五章 功率半导体器件发展 5.1 功率半导体器件的定义与作用 5.2 功率半导体器件分类 5.3 功率半导体器件发展 5.3.1 功率二级管 5.3.2 功率晶体管 5.3.3 晶闸管类器件 5.3.4 功率集成电路 5.4 总结 参考文献 "