以下是T/CASAS 043-2024标准《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)高温反偏试验方法》的详细内容总结：​​1. 范围​​本文件规定了SiC MOSFET器件（包括分立器件和功率模块）在高温反偏（HTRB）条件下的试验方法、装置要求、失效判定及测试报告规范。适用于评估器件在高温、高电压应力下的可靠性，暴露与时间/应力相关的缺陷（如钝化层失效、界面陷阱电荷迁移等）。​​2. 核心术语...

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