团体标准 T/CASAS 045—2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)动态栅偏试验方法 Dynamic gate stress test method for silicon carbide metal‑oxide semiconductor field effect transistors(SiC MOSFET) 2024‑11‑19 发布2024‑11‑19 实施 第三代半导体产业技术创新战略联盟 目次 前言…………&hellip... 上一篇:T/CASAS 046-2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)动态反偏(DRB)试验方法下一篇:T/CASAS 044-2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)高压高温高湿反偏试验方