半导体物理与器件实验教程出版时间:2015年版内容简介 《半导体物理与器件实验教程》分上、下两篇,上篇为半导体物理实验部分,包括晶体结构构建、晶体电子结构仿真与分析、单波K椭偏法测试分析薄膜的厚度与折射率、探针测试半导体电阻率、霍尔效应实验、高频光电导法测少子寿命、肖特基二极管的I-V特性测试分析、肖特基二极管的势垒高度及半导体杂质浓度的测试分析和MIS的高频C-V测试;F篇为... 上一篇:储能聚合物电介质基础下一篇:非线性发酵动力系统:辨识、控制与并行优化