本标准规定了使用 X 射线辐射仪(光子平均能量约 10keV,最大光子能量不超过100keV)对半导体器件和电路进行电离辐射效应试验的方法和程序。适用于半导体器件的总剂量电离辐照评估试验。... 上一篇:SJ/T 11585-2016 串行存储器接口要求下一篇:SJ/T 11588-2016 BDS/GPS射频与基带一体化模块性能要求与测试方法