本文件规定了功率器件用Φ150mm n型碳化硅(SiC)衬底的术语、要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输和储存。本文件适用于经抛光后制备的Φ150 mm n型 SiC衬底,晶型为4H。 ... 上一篇:SJ/T 11866-2022 半导体光电子器件 硅衬底白光功率发光二极管详细规范下一篇:SJ/T 11864-2022 半绝缘型碳化硅单晶衬底